ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
19 NS NS Gates & Inverters поверхностное крепление
571
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
19 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
276
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
3,3VV 4,5 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 1,65 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА μa
197
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
50 нс нс 9,9 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
280
16-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
50 нс нс 9,9 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
865
16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
6 NS NS 7 NS NS GATES & Inverters 120 мг МГ
422
14-VFQFN открытая площадка
На полупроводнике
5 В v 20 нс нс 25 нс нс 10,2 мм мм Гейтс и инверторы 218,3 мг мг
985
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
3,3 нс нс 3,3 нс Н.С. Гейтс и инверторы 30 г мг
969
6-ufdfn
На полупроводнике
5V V 26 NS NS 27 NS NS GATES & Inverters 30G MG поверхностное крепление
148
-
На полупроводнике
2,3 нс нс 1 нс Н.С. Гейтс и инверторы 24ma MA 20 мг Mg поверхностное крепление
648
6-ufdfn
На полупроводнике
3,3VV 4,5 нс нс 5,5 нс нс 1 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 550 мм мм 20 мг мг
106
6-ufdfn
На полупроводнике
3,3VV 4,5 нс NS 12,7 нс Н.С. Гейтс и инверторы 50 мА MA 20 мг Mg поверхностное крепление
691
6-ufdfn
На полупроводнике
5 В V 18 NS NS 15 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 900 мкм мм 55,3 мг мг
866
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
Gates & Inverters 0,9 В ~ 3,6 ВВ
288
6-ufdfn
На полупроводнике
7,5 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление
525
6-ufdfn
На полупроводнике
5 мм мм Гейтс и инверторы 2 В ~ 6 В v
375
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
4,9 нс нс 1,45 мм мм Гейтс и инверторы
582
8-Ufdfn
На полупроводнике
6,5 нс NS 11 NS NS Gates & Inverters 18 мг Mg поверхностное крепление
980
6-ufdfn
На полупроводнике
3,3 NS NS 13 NS NS GATES & Inverters 20 мг МГ
667
6-ufdfn
На полупроводнике
20 нс нс 120 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг мг
391
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
Гейтс и инверторы 2 В ~ 5,5 ВВ
482
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
Гейтс и инверторы 4,5 В ~ 5,5 ВВ
387
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5V V 18 NS NS 18 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
907
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
23 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
332
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
4.2 NS NS Gates & Inverters поверхностное крепление
963
8 VFSOP (0,091, ширина 2,30 мм)
На полупроводнике
80 NS NS Gates & Inverters поверхностное крепление
937
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5 В V 15 NS NS 28 NS NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ
503
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5/15 В v 80 нс NS 250 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Surface Mount 3 В ~ 18 В V 1 мкА μa
476
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
32 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
189
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
9,2 нс NS Gates & Inverters 20 мг Mg поверхностное крепление поверхностного монтажа 0,9 В ~ 3,6 В.
768
6-ufdfn
Как мы можем вам помочь?