Все продукты

Авторизоваться Зарегистрировать

На полупроводнике

IMG	Номер части	Производители	Посягательство	В наличии	Упаковка
	74VHC86SJX	На полупроводнике	8,8 нс NS 14,5 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ	313	14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
	DM74ALS08SJX	На полупроводнике	14 NS NS 14 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ	650	14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
	DM74AS04SJX	На полупроводнике	5 NS NS 5 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ	973	14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
	74VHC32N	На полупроводнике	7,5 нс NS 11,4 нс NS Gates & Inverters 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА μa	406	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	74F02SC	На полупроводнике	5,5 нс NS 12 NS NS Gates & Inverters 20 мА MA	933	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	74ALVC08M	На полупроводнике	2,9 нс NS 12 нс NS Gates & Inverters 150 мг Mg поверхностное крепление поверхностного монтажа 1,65 В ~ 3,6 В.	334	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	74AC86SJX	На полупроводнике	8,5 нс NS 11,5 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг Mg поверхностное крепление	867	14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
	74LVX08MTC	На полупроводнике	3,3VV 10,6 нс нс 12 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 4ma 55,3 мг мг	893	14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
	74AC20MTCX	На полупроводнике	7 NS NS 8,5 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 2 мкА μA	161	14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
	74AC02MTC	На полупроводнике	6,5 нс нс 7,5 нс Н.С. Гейтс и инверторы 24 мА МА	457	14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
	74LVX132MTC	На полупроводнике	15,4 нс NS 16 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг МГ	250	14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
	DM74AS21M	На полупроводнике	6 NS NS 6 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ	761	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	74VHCT08AMTC	На полупроводнике	7,9 нс нс 7,9 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг мг	502	14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
	MC74HC08ANG	На полупроводнике	110 NS NS 110 NS NS 6,35 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА MA 6,35 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 2 В ~ 6 В v 1μa μa	698	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	CNY172SR2VM	На полупроводнике	OptoCoupler DC-In 1-C Transistor с базовым DC-Out 6-контактным PDIP SMD White T/R	796	6-SMD, Крыло Чайки
	FOD2711A	На полупроводнике	OptoIsolator 5KV транзистор 8DIP	178	8-DIP (0,300, 7,62 мм)
	FOD050L	На полупроводнике	Optocoupler dc-in 1-ch транзистор с базовым DC-Out 8-контактным SOIC N Box	247	8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
	FOD2741BSV	На полупроводнике	OptoIsolator 5KV транзистор 8SMD	949	8-SMD, крыло чайки
	DLT100AGEVB	На полупроводнике	Eval BD Dynamic Lay Tool 100a	712	-
	Agb1n0cs-gevk	На полупроводнике	AGB1N0CS DEMO3 Базовая доска	951	-
	QSB363YR	На полупроводнике	Фототранзистор IR Chip Cilecon 940NM 2-контактный T-3/4 T/R	197	2-SMD, изгиб и яж
	L14C1	На полупроводнике	Детектор/транзисторное фото до 18	987	До 206aa, до 18-3 металла банка
	L14G2	На полупроводнике	Детектор/транзисторное фото до 18	830	До 206aa, до 18-3 металла банка
	L14R1	На полупроводнике	Phototransistors Disc от MFG 2/02	762	Радиальный вид на боковой
	QSC112	На полупроводнике	IC Phototrans ir 880nm черный 3 мм	706	Радиальный 3 мм диаг (T-1)
	L14G3	На полупроводнике	Фото датчика 880 нм вверх до 206AA	301	До 206aa, до 18-3 металла банка
	L14n2	На полупроводнике	Детектор/транзисторное фото до 18	294	До 206aa, до 18-3 металла банка
	QSD723	На полупроводнике	Фото датчика 880 нм вид на 18	860	До 18-2
	L14F1	На полупроводнике	Фототрансистор, 940 нм, 8, 300 МВт, 3 булавки, до 18	830	До 206aa, до 18-3 металла банка
	QSD722	На полупроводнике	Фото датчика 880 нм вид на 18	509	До 18-2
\| < < 1163 1164 1165 1166 1167 1168 1169 1170 1171 > > \|