IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
На полупроводнике | 110 NS NS 350 NS NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa | 550 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5/15 В. V 60 NS NS 140 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 3,6576 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 3 В ~ 18 В. | 275 | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 110 NS NS 350 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,683 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 3 В ~ 18 В V 1 мкА мкА | 773 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,5 нс NS 10 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 3,683 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В v 4 мкА мкА | 225 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 100 нс NS 300 нс NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa | 867 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 80 NS NS 80 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,683 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa | 535 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 160 NS NS 400 NS NS GATES & Inverters 8,8 мА МА МОСТ | 632 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 100 нс NS 300 нс NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa | 531 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 100 нс NS 300 нс NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa | 660 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 100 нс NS 100 нс NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 18 В v 1 млекс μa | 597 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 110 нс NS 110 NS NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В v 1 мкА мкА | 469 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 10 нс нс 15 нс нс 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА 3,6576 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В. | 470 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 10.1 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters 55,3 мг Mg поверхностное крепление поверхностного крепления 2 В ~ 3,6 В. | 759 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 110 NS NS 13 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА 3,6576 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В. | 572 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 8,5 нс NS 11 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг Mg поверхностное крепление | 847 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 80 NS NS 80 NS NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa | 868 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 10.1 NS NS 14,2 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг Mg поверхностное крепление поверхностного крепления 2 В ~ 3,6 В. | 801 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 15,4 нс NS 16 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 3,6 В. | 222 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,5 нс NS 12 нс NS 6,35 мм мм Гейтс и инверторы 8 мА MA 6,35 мм мм 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 5,5VV 2 мкА мкА | 346 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5,5 нс NS 12 нс Н.С. Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ | 783 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ | 976 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5,2 нс нс 6,2 нс нс 10,2 мм мм Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ | 634 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,7 нс NS 4,1 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг Mg поверхностное крепление | 185 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,7 нс NS 4,1 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг Mg поверхностное крепление | 651 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 14,1 NS NS 23 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ | 520 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,8 нс нс 7,8 нс нс 10,2 мм мм Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ | 878 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 12 нс нс 7,4 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг мг | 131 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 9,7 нс NS 16 NS NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ | 579 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 10.1 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ | 748 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,5 нс NS 12 нс NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторы 218,3 мг мг | 494 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||