ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
110 NS NS 350 NS NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa
550
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
5/15 В. V 60 NS NS 140 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 3,6576 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 3 В ~ 18 В.
275
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
110 NS NS 350 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,683 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 3 В ~ 18 В V 1 мкА мкА
773
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
7,5 нс NS 10 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 3,683 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В v 4 мкА мкА
225
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
100 нс NS 300 нс NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa
867
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
80 NS NS 80 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,683 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa
535
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
160 NS NS 400 NS NS GATES & Inverters 8,8 мА МА МОСТ
632
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
100 нс NS 300 нс NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa
531
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
100 нс NS 300 нс NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa
660
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
100 нс NS 100 нс NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 18 В v 1 млекс μa
597
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
110 нс NS 110 NS NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В v 1 мкА мкА
469
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
10 нс нс 15 нс нс 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА 3,6576 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В.
470
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
10.1 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters 55,3 мг Mg поверхностное крепление поверхностного крепления 2 В ~ 3,6 В.
759
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
110 NS NS 13 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА 3,6576 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В.
572
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
8,5 нс NS 11 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг Mg поверхностное крепление
847
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
80 NS NS 80 NS NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa
868
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
10.1 NS NS 14,2 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг Mg поверхностное крепление поверхностного крепления 2 В ~ 3,6 В.
801
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
15,4 нс NS 16 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 3,6 В.
222
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
7,5 нс NS 12 нс NS 6,35 мм мм Гейтс и инверторы 8 мА MA 6,35 мм мм 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 5,5VV 2 мкА мкА
346
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
5,5 нс NS 12 нс Н.С. Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ
783
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ
976
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5,2 нс нс 6,2 нс нс 10,2 мм мм Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ
634
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
3,7 нс NS 4,1 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг Mg поверхностное крепление
185
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
3,7 нс NS 4,1 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг Mg поверхностное крепление
651
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
14,1 NS NS 23 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
520
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
7,8 нс нс 7,8 нс нс 10,2 мм мм Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ
878
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
3,3VV 12 нс нс 7,4 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг мг
131
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
9,7 нс NS 16 NS NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ
579
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
10.1 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
748
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
7,5 нс NS 12 нс NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторы 218,3 мг мг
494
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
Как мы можем вам помочь?