IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
На полупроводнике | 100 нс NS 300 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 823 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 110 NS NS 350 NS NS GATES & Inverters 10 мА MA через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 18 В V 1 мкА μa | 465 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 20 нс NS 180 нс НС Гейтс и инверторы через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В v 1 мкА μa | 963 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 17 NS NS 150 NS NS 18,86 мм мм Гейтс и инверторы 4 мА МА через поверхность отверстия | 325 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3/5 В V 10 нс НС Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия 2 В ~ 6 В. | 463 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 32 NS NS GATES & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА μa | 108 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 80 нс нс 180 нс нс 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 10 мА 3,68 мм мм через поверхность отверстия 3 В ~ 18 В v 1 мкА мкА | 678 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7 NS NS 9,5 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 264 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 8,5 нс NS Gates & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 4 мкА мкА | 625 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 18 NS NS 18 NS NS GATES & Inverters 8ma MA через поверхностное крепление отверстия 4,75 В ~ 5,25 ВВ | 392 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 20 нс нс 20 нс Н.С. Гейтс и инверторы 5,2 мА 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В v 2 мкА мкА | 724 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 21 NS NS 188 NS NS GATES & Inverters 5,2 мА MA 1,620005 г мг через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В v 2 мкА мкА | 706 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 17 NS NS 18 NS NS GATES & Inverters 5,2 мА MA 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В V 2 мкА μA | 454 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 10 нс нс 10 нс Н.С. Гейтс и инверторы 24ma ma 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В v 2μa μa | 407 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 12,8 нс NS 12 нс NS Gates & Inverters 150 мг мг | 271 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 20 нс нс 25 нс Н.С. Гейтс и инверторы 4,8 мА 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА мкА | 938 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | Гейтс и инверторы 4,5 В ~ 5,5 ВВ | 942 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 8,5 нс NS 9 нс NS 6,35 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 6,35 мм мм 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 4 мкА мкА | 934 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 4 NS NS 4 NS NS GATES & Inverters Через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 16 мА μa | 121 | 20-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 9 нс NS 9,5 нс NS Gates & Inverters 24MA MA 1,62 г мг через крепление поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА мкА | 741 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 4,3 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Surface Mount 1,65 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА μa | 542 | SOT-553 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,9 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы | 269 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3 ВВ 5,2 нс нс 6,2 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 166 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 3 нс нс 11 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы | 456 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,5 нс нс 15,5 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы | 467 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,5 нс нс 11,4 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы | 703 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 3,7 нс нс 4,1 нс Н.С. Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 201 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы 8 мА МА | 172 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 7,5 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление | 342 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 80 NS NS 80 NS NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 453,59237 г мг через поверхность отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa | 440 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||