Все продукты

Авторизоваться Зарегистрировать

На полупроводнике

IMG	Номер части	Производители	Посягательство	В наличии	Упаковка
	QSC114	На полупроводнике	IC Phototrans ir 880nm черный 3 мм	592	Радиальный 3 мм диаг (T-1)
	QSB320FTR	На полупроводнике	Фототранзистор IR Chip Cilecon 880nm 2-контактный Plcc t/r	435	2-PLCC
	QSB363CZR	На полупроводнике	Фототранзистор IR Chip Cilecon 940NM 2-контактный T-3/4 T/R	524	2-SMD, Z-Bend
	QSC114C	На полупроводнике	Фототранзистор Ir Chip Cipon 880nm 2-контактный T-1 объем	215	Радиальный 3 мм диаг (T-1)
	QSD724	На полупроводнике	Фототранзистор Ir Chip Cipon 880nm 2-контактный до 18	283	До 18-2
	QSE213C	На полупроводнике	Фототранзистор IR Chip Cipon 880nm 2-контактный Thin Side Looker Bulk	870	Радиальный вид на боковой
	QSC112CC6R0	На полупроводнике	Фототрансистор IR Chip Cilecon 880nm 2-контактный T-1 T/R	541	Радиальный 3 мм диаг (T-1)
	QSC113C6R0	На полупроводнике	Фототрансистор IR Chip Cilecon 880nm 2-контактный T-1 T/R	896	Радиальный 3 мм диаг (T-1)
	QSE114E3R0	На полупроводнике	Фототранзистор Ir Chip Cipon 880nm 2-контактный Liker T/r	723	Радиальный вид на боковой
	QSB363Cyr	На полупроводнике	Фототранзистор IR Chip Cilecon 940NM 2-контактный T-3/4 T/R	833	2-SMD, изгиб и яж
	QSC133	На полупроводнике	Фото датчика 880 нм	244	Радиальный 3 мм диаг (T-1)
	QSE214	На полупроводнике	Фототранзистор IR Chip Cipon 880nm 2-контактный Thin Side Looker Bulk	894	Радиальный вид на боковой
	QSD122A4R0	На полупроводнике	Фото датчика 880 нм	258	Радиальный, 5 мм диаг (T 1 3/4)
	KDT00030TR	На полупроводнике	Фототранзистор чип 630 нм 2-контактный SMD T/R	415	2-SMD, J-Lead
	QSE113	На полупроводнике	Fairchild Semiconductor QSE113 Phototransistor, 880 нм, 25, 100 МВт, 2 штифта, боковой вид	672	Радиальный вид на боковой
	QSD124	На полупроводнике	Fairchild Semiconductor QSD124 ... OptosWitch	513	Радиальный, 5 мм диаг (T 1 3/4)
	QSE122	На полупроводнике	Фото датчика 880 нм вид видит рад	554	Радиальный вид на боковой
	NC7WP08L8X	На полупроводнике	9,2 нс нс 1,6 мм мм Гейтс и инверторы 500 мкм мм 25 мг МГ	865	8-Ufqfn
	NLVVHCT132ADTR2G	На полупроводнике	5 мм MM Gates & Inverters 4,5 В ~ 5,5 ВВ	326	14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
	NLV74HC86ADR2G	На полупроводнике	26 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж	246	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	NLV74LCX04DTR2G	На полупроводнике	5,2 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы	797	14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
	74VHCU04MX	На полупроводнике	2/5,5VV 13 нс NS 13 нс NS Gates & Inverters 150 мг мг	203	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	74lcx86m	На полупроводнике	3,3 ВВ 12 нс нс 12 нс нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы 150 мг МГ	807	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	NLV14012BDG	На полупроводнике	5/15 В V 100 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления	189	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	NLV14081BDG	На полупроводнике	100 нс нс 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж	115	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	NLV14082BDG	На полупроводнике	100 нс нс 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж	198	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	NLV14093BDG	На полупроводнике	5/15 В v 80 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления	235	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	NLV74HCT14ADG	На полупроводнике	5 В V 32 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА мкА	888	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	NLV74HC03ADTR2G	На полупроводнике	31 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж	585	14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
	NLV74HC86ADG	На полупроводнике	26 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж	125	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
\| < < 1164 1165 1166 1167 1168 1169 1170 1171 1172 > > \|