ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
Фототранзистор IR Chip Cilecon 880nm 2-контактный Plcc t/r
445
2-PLCC
На полупроводнике
Фототранзистор IR Chip Cilecon 880nm 2-контактный T-1 3/4 объем
245
Радиальный, 5 мм диаг (т 1 3/4)
На полупроводнике
Фототрансистор IR 30 В боковой концерт
306
Радиальный вид на боковой
На полупроводнике
Фото датчика 880 нм вид видит рад
812
Радиальный вид на боковой
На полупроводнике
5V V 17 NS NS 15 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
607
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
4,9 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление
228
SOT-953
На полупроводнике
17 NS NS Gates & Inverters поверхностное крепление
244
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
7,9 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Surface Mount Mount 1,65 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА мкА
709
6-ufdfn
На полупроводнике
Гейтс и инверторы 2 В ~ 5,5 ВВ
361
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
7 NS NS Gates & Inverters поверхностное крепление
975
6-ufdfn
На полупроводнике
2/6 В.
710
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
2/6 В.
776
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
17 нс нс 100 нс нс 1,45 мм мм Гейтс и инверторы 500 мкм мм 30 г мг
157
6-ufdfn
На полупроводнике
17 NS NS 100 NS NS GATES & Inverters 30G MG поверхностное крепление
305
6-ufdfn
На полупроводнике
12 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters 8ma MA 150 мг МГ
226
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
8,8 нс нс 19,5 нс нс 1,4478 мм мм Гейтс и инверторы 8ma MA 508 мм мм
649
6-ufdfn
На полупроводнике
3,3/5V V 7,5 нс NS 9,5 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 1,5 мм мм 150 мг мг
925
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
3,3VV 5,9 нс нс 2 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
909
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
3,3VV 12 нс NS 6 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 900 мкм ММ
241
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
3,3VV 9,7 нс NS 16 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
622
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
17 NS NS 125 NS NS GATES & Inverters 30G MG поверхностное крепление
326
6-ufdfn
На полупроводнике
3,3 ВВ 5 нс нс 6,5 нс нс 1,45 мм мм Гейтс и инверторы 500 мм мм 30 г мг
862
6-ufdfn
На полупроводнике
3,3VV 11 нс нс 11 нс нс 2,2 мм мм Гейтс и инверторы 1 мм мм 28,009329 мг мг
456
6-tssop, SC-88, SOT-363
На полупроводнике
18 нс нс 100 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг мг
925
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
3,3VV 5,6 нс нс 1,8 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы 19,986414 мг МГ
901
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
На полупроводнике
80 нс нс 80 нс нс 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА 1,5 мм мм
247
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5 В V 7,9 нс NS 12,3 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
551
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
11 нс нс 11 нс нс 2 мм мм Гейтс и инверторы 32 мА 900 мм мм 28 мг мг
769
6-tssop, SC-88, SOT-363
На полупроводнике
80 нс нс 250 нс нс 5,1 мм мм Гейтс и инверторы 1,05 мм мм
882
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
8,5 нс NS 9,5 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 1,5 мм мм
202
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
Как мы можем вам помочь?