IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
На полупроводнике | Фототранзистор IR Chip Cilecon 880nm 2-контактный Plcc t/r | 445 | 2-PLCC | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | Фототранзистор IR Chip Cilecon 880nm 2-контактный T-1 3/4 объем | 245 | Радиальный, 5 мм диаг (т 1 3/4) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | Фототрансистор IR 30 В боковой концерт | 306 | Радиальный вид на боковой | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | Фото датчика 880 нм вид видит рад | 812 | Радиальный вид на боковой | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5V V 17 NS NS 15 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 607 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 4,9 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление | 228 | SOT-953 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 17 NS NS Gates & Inverters поверхностное крепление | 244 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,9 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Surface Mount Mount 1,65 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА мкА | 709 | 6-ufdfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | Гейтс и инверторы 2 В ~ 5,5 ВВ | 361 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7 NS NS Gates & Inverters поверхностное крепление | 975 | 6-ufdfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 2/6 В. | 710 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 2/6 В. | 776 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 17 нс нс 100 нс нс 1,45 мм мм Гейтс и инверторы 500 мкм мм 30 г мг | 157 | 6-ufdfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 17 NS NS 100 NS NS GATES & Inverters 30G MG поверхностное крепление | 305 | 6-ufdfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 12 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters 8ma MA 150 мг МГ | 226 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 8,8 нс нс 19,5 нс нс 1,4478 мм мм Гейтс и инверторы 8ma MA 508 мм мм | 649 | 6-ufdfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3/5V V 7,5 нс NS 9,5 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 1,5 мм мм 150 мг мг | 925 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 5,9 нс нс 2 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 909 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 12 нс NS 6 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 900 мкм ММ | 241 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 9,7 нс NS 16 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж | 622 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 17 NS NS 125 NS NS GATES & Inverters 30G MG поверхностное крепление | 326 | 6-ufdfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3 ВВ 5 нс нс 6,5 нс нс 1,45 мм мм Гейтс и инверторы 500 мм мм 30 г мг | 862 | 6-ufdfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 11 нс нс 11 нс нс 2,2 мм мм Гейтс и инверторы 1 мм мм 28,009329 мг мг | 456 | 6-tssop, SC-88, SOT-363 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 18 нс нс 100 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг мг | 925 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 5,6 нс нс 1,8 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы 19,986414 мг МГ | 901 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 80 нс нс 80 нс нс 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА 1,5 мм мм | 247 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 7,9 нс NS 12,3 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 551 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 11 нс нс 11 нс нс 2 мм мм Гейтс и инверторы 32 мА 900 мм мм 28 мг мг | 769 | 6-tssop, SC-88, SOT-363 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 80 нс нс 250 нс нс 5,1 мм мм Гейтс и инверторы 1,05 мм мм | 882 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 8,5 нс NS 9,5 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 1,5 мм мм | 202 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||