ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
3,3VV 11 нс нс 3 нс нс 2,2 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА 1 мм мм Мм
527
6-tssop, SC-88, SOT-363
На полупроводнике
7,5 нс нс 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
425
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5V V 10 NS NS 9,5 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА МА
942
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
8 нс NS 90 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА 1,75 мм мм
857
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
20 нс нс 20 нс нс Гейтс и инверторы 5,2 мА МА
494
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
2/6 В.
595
SC-74A, SOT-753
На полупроводнике
5 В V 9,5 нс NS 9 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
266
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
3,3VV 7,1 нс NS 9,1 нс NS 2,1844 мм мм Гейтс и инверторы 32MA MA 1,1 мм ММ
893
6-tssop, SC-88, SOT-363
На полупроводнике
5/15 В.
137
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5 В V 20 нс нс 25 нс нс 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 4,8 мА 1,5 мм мм 150 мг мг
219
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5V V 7,9 нс NS 13,5 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
836
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
5V V 17 NS NS 17 NS NS GATES & Inverters 30G MG поверхностное крепление
903
6-ufdfn
На полупроводнике
10,6 нс нс 2 мм мм Гейтс и инверторы
345
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
3,3/5V V 8,5 нс NS 11,5 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг мг
416
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
3,3VV 10,6 нс нс 14,9 нс нс.
715
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
8 нс нс 45 нс нс 2 мм мм Гейтс и инверторы 900 мкм мм 23 г мг
126
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
3,3VV 10 нс нс 5 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы 1,3 мм мм 30 мг мг
630
SC-74A, SOT-753
На полупроводнике
3,3VV 6,6 нс нс 6,2 нс нс 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 1,5 мм мм
274
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
3,3VV 13,6 нс NS 12 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 25 мА MA 900 мкм 55,3 мг мг
348
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
2,3 нс нс 13,9 нс нс 2 мм мм Гейтс и инверторы 550 мм мм 30 г мг
392
6-ufdfn
На полупроводнике
110 нс NS 350 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
730
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5V V 10 NS NS 9 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг МГ
887
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
8,5 нс NS 11 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА МА
499
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5 В v 25 нс нс 25 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 900 мкм 55,3 мг мг
147
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
7,5 нс NS 14,5 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 1,65 В ~ 5,5 Вв 1 мкА μa
359
6-ufdfn
На полупроводнике
14 нс нс 14 нс Н.С. Гейтс и инверторы 7,8 мА MA 150 мг МГ
418
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
7,5 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
914
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
7 NS NS Gates & Inverters 30 мг Mg поверхностное крепление поверхностного монтажа 0,9 В ~ 3,6 В.
649
8 VFSOP (0,091, ширина 2,30 мм)
На полупроводнике
80 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы
542
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
100 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы
854
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
Как мы можем вам помочь?