ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
3,3VV 4,5 нс нс 5,2 нс Н.С. Гейтс и инверторы
638
SOT-553
На полупроводнике
3,3VV 3 нс Н.С. Гейтс и инверторы
161
SOT-553
На полупроводнике
3,3VV 5 нс NS 12,1 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 1,65 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА μa
590
SOT-553
На полупроводнике
3,3VV 9,7 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 3,6 В.
567
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
3 мм мм Гейтс и инверторы 2 В ~ 5,5 ВВ
334
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
На полупроводнике
2,3 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление
337
SOT-553
На полупроводнике
3,3VV 5,9 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 1,65 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА мкА
182
SOT-553
На полупроводнике
2/6 В.
778
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
На полупроводнике
17 нс нс 100 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы
751
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
На полупроводнике
3,3VV 4,5 нс нс 5,2 нс Н.С. Гейтс и инверторы
927
SOT-553
На полупроводнике
10,5 нс NS 11,5 нс NS Gates & Inverters 20 мА MA через крепление поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ
461
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
3,3/5V V 7,7 нс NS 17,5 нс NS 2 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
476
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
125 NS NS 125 NS NS 3 мм мм Гейтс и инверторы 2,6 мА 1,1 мм мм 30 мг мг
684
SC-74A, SOT-753
На полупроводнике
3,3VV 4,2 нс нс 5,4 нс Н.С. Гейтс и инверторы
156
8 VFSOP (0,091, ширина 2,30 мм)
На полупроводнике
8,8 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы
930
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
На полупроводнике
80 NS NS 80 NS NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa
118
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
80 NS NS 180 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,683 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия
496
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
100 нс NS 300 нс NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa
765
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
190 NS NS 125 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА MA 3,683 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В.
995
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
5/15V V 125 NS NS 55 NS NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА 3,68 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 3 В ~ 18 В.
571
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
5 В V 32 NS NS 48 NS NS 6,35 мм мм Гейтс и инверторы 4ma MA 6,35 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 4,5 В ~ 5,5VV 1 мкА мкА
220
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
5/15 В.
861
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
100 нс NS 300 нс NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa
292
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
7,7 NS NS 8,5 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ
900
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5/15 В.
975
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
150 нс NS 100 нс NS 6,35 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА MA 6,35 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 2 В ~ 6 В v 1 мкА μa
277
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
12 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters через крепление поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ
158
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
100 нс NS 300 нс NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,683 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 18 В V 1 мкА мкА
523
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
12 NS NS 15,4 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ
238
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5 В V 8,5 нс NS 9 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 24MA MA 3,6576 мм мм через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5VV 4 мкА μA
420
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
Как мы можем вам помочь?