IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
На полупроводнике | 3,3VV 4,5 нс нс 5,2 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 638 | SOT-553 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 3 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 161 | SOT-553 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 5 нс NS 12,1 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 1,65 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА μa | 590 | SOT-553 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 9,7 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 3,6 В. | 567 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3 мм мм Гейтс и инверторы 2 В ~ 5,5 ВВ | 334 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 2,3 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление | 337 | SOT-553 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 5,9 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 1,65 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА мкА | 182 | SOT-553 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 2/6 В. | 778 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 17 нс нс 100 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы | 751 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 4,5 нс нс 5,2 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 927 | SOT-553 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 10,5 нс NS 11,5 нс NS Gates & Inverters 20 мА MA через крепление поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ | 461 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3/5V V 7,7 нс NS 17,5 нс NS 2 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 476 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 125 NS NS 125 NS NS 3 мм мм Гейтс и инверторы 2,6 мА 1,1 мм мм 30 мг мг | 684 | SC-74A, SOT-753 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 4,2 нс нс 5,4 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 156 | 8 VFSOP (0,091, ширина 2,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 8,8 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы | 930 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 80 NS NS 80 NS NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa | 118 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 80 NS NS 180 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,683 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия | 496 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 100 нс NS 300 нс NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa | 765 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 190 NS NS 125 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА MA 3,683 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В. | 995 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5/15V V 125 NS NS 55 NS NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА 3,68 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 3 В ~ 18 В. | 571 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 32 NS NS 48 NS NS 6,35 мм мм Гейтс и инверторы 4ma MA 6,35 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 4,5 В ~ 5,5VV 1 мкА мкА | 220 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5/15 В. | 861 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 100 нс NS 300 нс NS 19,56 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,68 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 3 В ~ 18 В v 1μa μa | 292 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,7 NS NS 8,5 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ | 900 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5/15 В. | 975 | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 150 нс NS 100 нс NS 6,35 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА MA 6,35 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 2 В ~ 6 В v 1 мкА μa | 277 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 12 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters через крепление поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ | 158 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 100 нс NS 300 нс NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА MA 3,683 мм мм 4,535924 г мг через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 18 В V 1 мкА мкА | 523 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 12 NS NS 15,4 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ | 238 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 8,5 нс NS 9 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 24MA MA 3,6576 мм мм через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5VV 4 мкА μA | 420 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||