Все продукты

Авторизоваться Зарегистрировать

На полупроводнике

IMG	Номер части	Производители	Посягательство	В наличии	Упаковка
	MC74HC1G00DTT1	На полупроводнике	17 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы	761	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
	NL17SZ06DFT2	На полупроводнике	3,3VV 3 нс NS 3 NS NS 2 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления	829	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
	NL37WZ14US	На полупроводнике	4,9 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление	147	8 VFSOP (0,091, ширина 2,30 мм)
	MC74HC1G08DTT1	На полупроводнике	17 нс нс 100 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы	989	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
	CD4001BCN	На полупроводнике	250 NS NS 250 NS NS GATES & Inverters 8.8MA MA через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 15 В V 1 мкА μA	941	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	MM74C914N	На полупроводнике	200 нс NS 200 нс NS Gates & Inverters 16 мА MA через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 15 В V 50NA μA	162	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	MM74C14N	На полупроводнике	200 нс NS 200 нс NS Gates & Inverters 16 мА MA через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 15 В V 50NA μa	531	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	DM74S00N	На полупроводнике	Гейтс и инверторы 4.75 В ~ 5,25 ВВ	972	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	MM74HC02N	На полупроводнике	15 NS NS 15 NS NS GATES & Inverters 5,2 мА MA 1,620005G мг через крепление поверхности отверстия 2 В ~ 6 В V 2 мкА мкА	650	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	MM74HC04N	На полупроводнике	16 NS NS 16 NS NS GATES & Inverters 5,2 мА MA 1,620005G мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В V 2 мкА мкА	612	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	DM74AS00N	На полупроводнике	4,5 нс NS 4,5 нс NS Gates & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 10,8 мА μa	915	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	MM74HC132N	На полупроводнике	21 нс нс 20 нс Н.С. Гейтс и инверторы 5,2 мА MA 1,62 г мг через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В V 2 мкА μA	840	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	74AC86PC	На полупроводнике	8,5 нс NS 11,5 нс NS Gates & Inverters 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В v 2μa μa	660	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	74AC04SC	На полупроводнике	10 нс NS 7 NS NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 1,75 мм мм 240,999296 мг Мг	184	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	74VHC08M	На полупроводнике	12 нс нс 12,3 нс нс 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 8 мА 1,5 мм мм 150 мг мг	641	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	CD4049UBCM	На полупроводнике	35 NS NS 35 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 3V ~ 15V V 30NA μa	292	16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	74f11sc	На полупроводнике	5,6 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 Вв 6,5 мА μa	538	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	DM74AS00M	На полупроводнике	4,5 нс NS 4,5 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ 10,8 мкм μA	529	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	74act08sc	На полупроводнике	5 В V 9 нс NS 10 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 1,5 мм мм 150 мг мг	587	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	DM74ALS04BM	На полупроводнике	11 NS NS 11 NS NS GATES & Inverters 8ma MA	116	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	DM74AS21N	На полупроводнике	6 NS NS 6 NS NS GATES & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 7,4 мА μa	351	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	74act04sc	На полупроводнике	5 В V 8,5 нс NS 9 нс NS Gates & Inverters 24MA MA 1,75 мм мм 150 мг мг	224	14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
	DM74AS08N	На полупроводнике	5,5 нс NS 5,5 нс NS Gates & Inverters через крепление поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 14,5 мА μa	736	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	DM74AS04N	На полупроводнике	5 NS NS 5 NS NS GATES & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 14 мАМ μA	207	14-DIP (0,300, 7,62 мм)
	NC7S04M5	На полупроводнике	2/6V V 125 NS NS 17 NS NS 3 мм мм Гейтс и инверторы 2,6 мА MA 1,25 мм мм 30 мг мг	823	SC-74A, SOT-753
	NC7S08M5	На полупроводнике	125 NS NS 125 NS NS 3 мм мм Гейтс и инверторы 2,6 мА 1,3 мм мм 30 мг мг	511	SC-74A, SOT-753
	NL17SZ04XV5T2	На полупроводнике	3,3VV 4,3 нс нс 12 нс Н.С. Гейтс и инверторные поверхностные крепления	777	SOT-553
	NC7S00M5	На полупроводнике	17 нс нс 125 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы 2,6 мА 1,3 мм мм 30 мг мг	360	SC-74A, SOT-753
	NLSF308MNR2	На полупроводнике	7,9 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы	599	16-VFQFN открытая площадка
	MC74LCX14DTR2	На полупроводнике	3,3VV 6,5 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления	385	14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
\| < < 660 661 662 663 664 665 666 667 668 > > \|