IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
На полупроводнике | 2/5,5VV 12 нс NS 12 NS NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 8MA MA 1,5 мм мм 150 мг мг | 975 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В v 7,9 нс нс 7,9 нс нс 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 1,5 мм мм 150 мг мг | 955 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3 ВВ 12 нс нс 16 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 20 мА 55,3 мг мг | 955 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 110 нс нс 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 483 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 9,2 нс нс 25,9 нс нс Гейтс и инверторы 30 г мг | 445 | 6-ufdfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 9 NS NS 9 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж | 977 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,7 нс нс 2,5 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Surface Mount 1,65 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА μa | 137 | 8-Ufqfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 10 NS NS 9 NS NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 1,5 мм мм | 126 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 16 нс нс 16 нс нс Гейтс и инверторы 240,999296 мг МГ | 962 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3 ВВ 12 нс нс 16 нс нс Гейтс и инверторы 150 мг мг | 124 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В v 20 нс нс 25 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг МГ | 179 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 8,8 нс нс 14,5 нс нс 5,1 мм мм Гейтс и инверторы 1,05 мм мм | 474 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3/5 В v 3 мм мм Гейтс и инверторы 3 В ~ 5,5 ВВ | 644 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 80 нс нс 180 нс нс 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 1,5 мм мм | 693 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 17 нс нс 100 нс нс 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА 1,5 мм мм | 253 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,5 нс нс 5,5 нс нс 2 мм мм Гейтс и инверторы 1 мм мм 23 г мг | 642 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 5,5 нс NS 6 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж | 387 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 6,5 нс NS 7 NS NS 5 мм MM Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 3,6 В. 10 мкА μa | 538 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 5,5 нс NS 6,2 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 332 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 46,3 нс NS 46,3 нс NS 1,45 мм мм Гейтс и инверторы 550 мм мм 30 г мг | 266 | 6-ufdfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 23 NS NS 23 NS NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 1,5 мм мм 150 мг мг | 255 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 32 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Surface Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА мкА | 905 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3 ВВ 13 нс нс 6,3 нс нс 2,3 мм мм Гейтс и инверторы 32 мА 700 мм мм 30 мг мг | 775 | 8 VFSOP (0,091, ширина 2,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7 NS NS 24 NS NS GATES & Inverters 30 мг МГ | 960 | 8 VFSOP (0,091, ширина 2,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3 ВВ 12 нс нс 12 нс Н.С. Гейтс и инверторы 20 мг МГ | 448 | 6-ufdfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 4,3 нс NS Gates & Inverters 20 мг мг | 611 | 6-ufdfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3 ВВ 12 нс нс 12 нс Н.С. Гейтс и инверторы 150 мг мг | 650 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 16,5 нс NS 14,5 нс NS Gates & Inverters 150 мг мг | 193 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 4,5 нс NS 9,5 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 1,75 мм мм | 110 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 2/6 В v 25 нс нс 8,65 мм мм Гейтс и инверторы | 990 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||