IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
На полупроводнике | 3,3 ВВ 3,7 нс нс 5,7 нс Н.С. Гейтс и инверторы 24 мА МА | 426 | 8 VFSOP (0,091, ширина 2,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 12,1 нс NS 12,1 нс NS 2 мм мм Гейтс и инверторы 23 г мг | 905 | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,7 нс нс 13,5 нс нс 2,2 мм мм ворота и инверторы 8 мА 1 мм мм | 475 | SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 4,4 нс NS 15,6 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Surface Mount 0,9 В ~ 3,6 В. | 599 | SOT-953 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В v 8,5 нс нс 8,5 нс нс 5,1 мм мм Гейтс и инверторы 1,05 мм мм | 862 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 13 NS NS 110 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА поверхностное крепление | 181 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В v 7,5 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 25 мА МА | 190 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,5 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж | 445 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5V V 17 NS NS 15 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 186 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 2,3 нс NS 13,9 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Surface Mount 0,9 В ~ 3,6 В. | 394 | SOT-553 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 100 нс нс 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж | 501 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 20 нс нс 175 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 900 мм мм 55,3 мг мг | 678 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,5 нс NS Gates & Inverters 20 мг Mg поверхностное крепление поверхностного монтажа 0,9 В ~ 3,6 В. | 911 | 6-ufdfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5V V 17 NS NS 15 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 697 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 3 нс нс 11 нс нс 3,1 мм мм Гейтс и инверторы 32 мА 1 мм мм | 270 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,8/5 В v 4,9 нс нс 1 мм мм Гейтс и инверторы | 551 | 6-ufdfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 8,5 нс NS 9 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 729 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В v 25 нс нс 25 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,30992 мг МГ | 912 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 12 нс нс 11,4 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 8 мА 900 мм мм 55,3 мг мг | 416 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 12 NS NS 7 NS NS GATES & Inverters 24MA MA MA Монт поверхностное крепление поверхностное крепление 2 В ~ 3,6 В. | 187 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 4,1 нс нс 3,7 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг мг | 642 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5V V 15 NS NS 18 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг МГ | 911 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 15 нс NS 90 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж | 777 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5/15 В. V 80 нс NS 80 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА 1,5 мм мм | 681 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 80 нс нс 250 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 8,8 мА 1,5 мм мм | 606 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 21 нс нс 190 нс нс 5,1 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА 1,05 мм мм | 823 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 8,5 нс NS 9,5 нс NS 8,7376 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 1,4986 мм мм | 276 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 9 нс NS 10 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 1,5 мм мм | 195 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 12 NS NS 11,4 нс NS Gates & Inverters 8ma MA 150 мг мг | 353 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В v 15 нс нс 28 нс нс 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 4,8 мА 1,5 мм мм 150 мг мг | 218 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||