ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
IC RCVR/DRVR ECL DIFF VAR 8SOIC
962
8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
IC RCVR/DRVR HV ECL DIFF 8TSSOP
376
8-tssop, 8-мс (0,118, ширина 3,00 мм)
На полупроводнике
Ic rcvr/drvr ecl diff var 8tssop
692
8-tssop, 8-мс (0,118, ширина 3,00 мм)
На полупроводнике
IC RCVR/DRVR QUAD ECL DFF 20SOIC
892
20 Soic (0,295, ширина 7,50 мм)
На полупроводнике
TXRX BIDIRECT IEEE 48SSOP
259
48-BSSOP (0,295, ширина 7,50 мм)
На полупроводнике
IC RCVR/DRVR QUAD ECL DFF 20SOIC
477
20 Soic (0,295, ширина 7,50 мм)
На полупроводнике
IC RCVR/DRVR ECL DIFF VAR 8SOIC
157
8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
TXRX BIDIRECT IEEE 48TSSOP
343
48-TFSOP (0,240, ширина 6,10 мм)
На полупроводнике
TXRX BIDIRECT IEEE 48SSOP
200
48-BSSOP (0,295, ширина 7,50 мм)
На полупроводнике
Txrx w/генератор и чехл 28ssop
297
28-ssop (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
IC RCVR/DRVR ECL DIFF 5V 8TSSOP
933
8-tssop, 8-мс (0,118, ширина 3,00 мм)
На полупроводнике
IC RCVR/DRVR HEX 6BT DFF 32LQFP
800
32-LQFP
На полупроводнике
IC, ECL DIFF -приемник/драйвер 5.5V TSSOP8
824
8-tssop, 8-мс (0,118, ширина 3,00 мм)
На полупроводнике
TXRX перевод IEEE 48TSSOP
582
48-TFSOP (0,240, ширина 6,10 мм)
На полупроводнике
17,5 нс нс 17,5 нс нс 2,1844 мм мм Гейтс и инверторы 8ma ma 1,0922 мм мм
278
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
3,3VV 15,6 нс NS 15,6 нс NS 2,2 мм мм Гейтс и инверторы 32 мА 1 мм мм
433
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
7,7 нс нс 13,5 нс нс 2,2 мм мм Гейтс и инверторы 1 мм мм
299
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
8,8 нс нс 14,5 нс нс 2,2 мм мм Гейтс и инверторы 1 мм мм
415
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
12,2 нс NS 100 нс NS 2 мм мм Гейтс и инверторы 20 мА MA 900 мкм мм 23 г мг
885
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
5 В V 7,9 нс NS 12,3 нс NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 8 мА MA 1,5 мм мм
960
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
7,5 нс NS 9 нс NS 1,45 мм мм Гейтс и инверторы 500 мм мм 18 мг мг
457
6-ufdfn
На полупроводнике
8,5 нс NS 9,5 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы
101
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5V V 28 NS NS 29 NS NS GATES & Inverters 23G MG поверхностное крепление
365
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
7 нс нс 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
350
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
14,9 нс нс 5,2 нс нс 2 мм мм Гейтс и инверторы 24ma ma 900 мм мм 28 мг мг
388
6-tssop, SC-88, SOT-363
На полупроводнике
5 В V 9 нс нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы
642
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
9 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 4 мкА мкА
627
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
Gates & Inverters поверхностное крепление
600
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
3,3VV 5 нс нс 12 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА 55,3 мг мг
955
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
21 NS NS 188 NS NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ
138
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
Как мы можем вам помочь?