IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
На полупроводнике | 5 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ | 750 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 10 нс NS 10 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 2 мкА мкА | 782 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5V V 10 NS NS 9 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг МГ | 695 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,9 нс NS 12,3 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ | 128 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3VV 3 нс нс 3,5 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг мг | 799 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,5 нс NS 4,4 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 1,65 В ~ 3,6 ВВ 40 мкА μa | 368 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 2,8 нс NS 7,4 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 1,2 В ~ 3,6 В. | 155 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 2,8 нс NS 2,9 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 1,65 В ~ 3,6 В. | 895 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 12 NS NS 5 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ | 311 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5V V 18 NS NS 18 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ | 843 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 16 NS NS 120 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ | 324 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 14 NS NS 14 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ | 327 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 20 нс нс 20 нс Н.С. Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ | 816 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 14 NS NS 14 NS NS GATES & Inverters 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В V 2 мкА μA | 588 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 9,2 нс NS 46,3 нс NS Gates & Inverters 30 мг мг | 864 | 8 VFSOP (0,091, ширина 2,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters 30 мг Mg поверхностное крепление | 263 | 8 VFSOP (0,091, ширина 2,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 23 NS NS 23 NS NS GATES & Inverters 4,8 мА МА через поверхностное крепление отверстия 4,5 В ~ 5,5 Вв 1 мкА μa | 313 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 15 нс NS 100 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 320 | 16-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 60 NS NS 90 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Surface Mount 3V ~ 15V V | 478 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,3 нс нс 1,3 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторы | 805 | 20-LCC (J-Lead) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,7 нс нс 1,7 нс Н.С. Гейтс и инверторные поверхностные монтаж | 617 | 16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,5 нс нс 1,5 нс нс 19,175 мм мм Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46 В. | 446 | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,3 нс нс 1,3 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 725 | 16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,5 нс нс 1,5 нс нс 10,2 мм мм Гейтс и инверторы | 619 | 16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,9 нс нс 1,75 нс нс 19,55 мм мм Гейтс и инверторы 50 мА MA 3,43 мм мм через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV | 107 | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,75 нс нс 1,75 нс Н.С. Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46 В. | 566 | 16-CDIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,75 нс нс 1,75 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 913 | 16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,55 нс нс 1,7 нс нс 19,175 мм мм Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV | 467 | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | -5,2VV 1,6 нс нс 1,6 нс нс 8,965 мм мм и инверторы | 947 | 20-LCC (J-Lead) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5/15 В v 80 нс NS 250 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Surface Mount 3 В ~ 18 В V 1 мкА μa | 469 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||