ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
5 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
750
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
10 нс NS 10 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 2 мкА мкА
782
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5V V 10 NS NS 9 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг МГ
695
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
7,9 нс NS 12,3 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ
128
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
3,3VV 3 нс нс 3,5 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг мг
799
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
3,5 нс NS 4,4 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 1,65 В ~ 3,6 ВВ 40 мкА μa
368
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
2,8 нс NS 7,4 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 1,2 В ~ 3,6 В.
155
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
2,8 нс NS 2,9 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 1,65 В ~ 3,6 В.
895
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
12 NS NS 5 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ
311
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5V V 18 NS NS 18 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
843
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
16 NS NS 120 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
324
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
14 NS NS 14 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
327
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
20 нс нс 20 нс Н.С. Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ
816
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
14 NS NS 14 NS NS GATES & Inverters 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В V 2 мкА μA
588
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
9,2 нс NS 46,3 нс NS Gates & Inverters 30 мг мг
864
8 VFSOP (0,091, ширина 2,30 мм)
На полупроводнике
5 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters 30 мг Mg поверхностное крепление
263
8 VFSOP (0,091, ширина 2,30 мм)
На полупроводнике
23 NS NS 23 NS NS GATES & Inverters 4,8 мА МА через поверхностное крепление отверстия 4,5 В ~ 5,5 Вв 1 мкА μa
313
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
15 нс NS 100 нс Н.С. Гейтс и инверторы
320
16-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
60 NS NS 90 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Surface Mount 3V ~ 15V V
478
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
1,3 нс нс 1,3 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторы
805
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
1,7 нс нс 1,7 нс Н.С. Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
617
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,5 нс нс 1,5 нс нс 19,175 мм мм Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46 В.
446
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
1,3 нс нс 1,3 нс Н.С. Гейтс и инверторы
725
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,5 нс нс 1,5 нс нс 10,2 мм мм Гейтс и инверторы
619
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,9 нс нс 1,75 нс нс 19,55 мм мм Гейтс и инверторы 50 мА MA 3,43 мм мм через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV
107
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
1,75 нс нс 1,75 нс Н.С. Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46 В.
566
16-CDIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
1,75 нс нс 1,75 нс Н.С. Гейтс и инверторы
913
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,55 нс нс 1,7 нс нс 19,175 мм мм Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV
467
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
-5,2VV 1,6 нс нс 1,6 нс нс 8,965 мм мм и инверторы
947
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
5/15 В v 80 нс NS 250 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Surface Mount 3 В ~ 18 В V 1 мкА μa
469
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
Как мы можем вам помочь?