ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
5/15 В V 100 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 3V ~ 18V V 1 мкА мкА
799
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
3,3/5V V 8 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
585
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
1,75 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount -Mount -4.94V ~ -5.46VV
743
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
6,5 нс NS 7 NS NS 5 мм MM Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 4 мкА μA
747
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
5/15 В V 55 NS NS 55 NS NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторы
212
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
2 NS NS 2 NS NS 8,965 мм мм Гейтс и инверторы
816
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
1,25 нс NS 1,25 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Surface Mount -4,94V ~ -5,46VV
477
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
6 NS NS 9 NS NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторы
738
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5/15 В V 100 NS NS 300 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы
360
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
7 NS NS Gates & Inverters 24 мА MA через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В V 4 мкА мкА
114
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
-5,2VV 1,6 нс нс 1,7 нс Н.С. Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV
114
16-CDIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
3,3/5 В.
194
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
-5,2VV 1,6 нс нс 1,6 нс нс 8,965 мм мм и инверторы
488
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
2/6 В V 8 нс NS 18,86 мм мм Гейтс и инверторы через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В v 4 мкА мкА
860
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
5V V 9 NS NS 9,5 нс NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы
910
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
7,5 нс NS 9,5 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 4 мкА μA
569
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
7,5 нс NS 9 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 4 мкА μA
408
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
100 нс нс 300 нс Н.С. Гейтс и инверторы
587
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5V V 9,5 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление
146
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5 В V 8,5 нс NS Gates & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 4 мкА мкА
672
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
5 В V 8,5 нс NS 9 нс NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
120
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5V V 9,5 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление
973
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5V V 9 NS NS 9 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 24MA MA 3,683 мм мм через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 4 мкА мкА
306
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
100 нс нс 300 нс Н.С. Гейтс и инверторы
534
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5V V 9 NS NS 9 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 3,683 мм мм через крепление поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 В.
742
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
110 нс NS 110 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы
940
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
7 NS NS 8 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы
697
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5V V 9 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 4 мкА μA
673
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
5 В V 9,5 нс NS 9,5 нс NS 6,35 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 6,35 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 4,5 В ~ 5,5 В.
252
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
5 В V 9 NS NS 9 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
472
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
Как мы можем вам помочь?