IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
На полупроводнике | 5/15 В V 100 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 3V ~ 18V V 1 мкА мкА | 799 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3/5V V 8 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 585 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,75 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount -Mount -4.94V ~ -5.46VV | 743 | 16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 6,5 нс NS 7 NS NS 5 мм MM Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 4 мкА μA | 747 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5/15 В V 55 NS NS 55 NS NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторы | 212 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 2 NS NS 2 NS NS 8,965 мм мм Гейтс и инверторы | 816 | 20-LCC (J-Lead) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,25 нс NS 1,25 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Surface Mount -4,94V ~ -5,46VV | 477 | 16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 6 NS NS 9 NS NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторы | 738 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5/15 В V 100 NS NS 300 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы | 360 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7 NS NS Gates & Inverters 24 мА MA через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В V 4 мкА мкА | 114 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | -5,2VV 1,6 нс нс 1,7 нс Н.С. Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV | 114 | 16-CDIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3/5 В. | 194 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | -5,2VV 1,6 нс нс 1,6 нс нс 8,965 мм мм и инверторы | 488 | 20-LCC (J-Lead) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 2/6 В V 8 нс NS 18,86 мм мм Гейтс и инверторы через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В v 4 мкА мкА | 860 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5V V 9 NS NS 9,5 нс NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы | 910 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,5 нс NS 9,5 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 4 мкА μA | 569 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,5 нс NS 9 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 4 мкА μA | 408 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 100 нс нс 300 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 587 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5V V 9,5 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление | 146 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 8,5 нс NS Gates & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 4 мкА мкА | 672 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 8,5 нс NS 9 нс NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж | 120 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5V V 9,5 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление | 973 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5V V 9 NS NS 9 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 24MA MA 3,683 мм мм через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 4 мкА мкА | 306 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 100 нс нс 300 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 534 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5V V 9 NS NS 9 NS NS 19,558 мм мм Гейтс и инверторы 3,683 мм мм через крепление поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 В. | 742 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 110 нс NS 110 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы | 940 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7 NS NS 8 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы | 697 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5V V 9 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 4 мкА μA | 673 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 9,5 нс NS 9,5 нс NS 6,35 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 6,35 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 4,5 В ~ 5,5 В. | 252 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 9 NS NS 9 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж | 472 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||