IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
На полупроводнике | 5 NS NS 5 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ | 908 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 9,6 NS NS 11 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ | 105 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 180 NS NS 180 NS NS 8,89 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА MA 6,35 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В v 1 мкА μa | 824 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 8,8 нс NS 14,5 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ | 323 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 9,6 NS NS 11 NS NS GATES & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА μA | 484 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,9 нс NS 9 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА μa | 387 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5V V 9 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 4 мкА μA | 589 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 50 нс нс 50 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 256 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 12 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ | 699 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5,5 нс NS 12 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ | 615 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7 NS NS 13 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ | 406 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 8,8 нс NS 14,5 нс NS Gates & Inverters 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА μa | 377 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,9 нс NS 7,9 нс NS Gates & Inverters 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА μa | 823 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 50 нс NS 90 нс NS Gates & Inverters 8,8 мА мА через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 15 В V 1 мкА μa | 553 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 3,3/5 В. | 810 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 6,5 нс NS 7 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА μa | 574 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 8,8 нс NS 16,5 нс NS Gates & Inverters 55,3 мг мг | 712 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7 NS NS 7 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ | 614 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 В V 9 нс NS 9,5 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 900 мм мм 55,3 мг мг | 204 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 11 NS NS 11 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ | 152 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5,6 нс NS 5,6 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ | 795 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 9,7 нс NS 12 NS NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ | 209 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 12 NS NS 15,4 нс NS Gates & Inverters 55,3 мг Mg поверхностное крепление | 988 | 14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5,5 нс нс 5,5 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 846 | 14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 7,7 NS NS 8,5 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ | 661 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | OptoCoupler DC-In 1-C Transistor с базовым DC-Out 6-контактным PDIP SMD White T/R | 291 | 6-SMD, Крыло Чайки | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | Транзистор выходные оптокуплеры OptoCoupler Phototransistor | 248 | 4 Soic (0,173, ширина 4,40 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | OptoCoupler DC-In 1-C Transistor DC-OUT 6-контактный PDIP SMD White T/R | 654 | 6-SMD, Крыло Чайки | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | OptoCoupler, SO-8, Error Amp, SMD | 780 | 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | OptoIsolator 5KV транзистор 8DIP | 292 | 8-DIP (0,400, 10,16 мм) | | |||||||||||||||||||||||||