ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
5 NS NS 5 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ
908
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
9,6 NS NS 11 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
105
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
180 NS NS 180 NS NS 8,89 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА MA 6,35 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В v 1 мкА μa
824
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
8,8 нс NS 14,5 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ
323
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
9,6 NS NS 11 NS NS GATES & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА μA
484
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
7,9 нс NS 9 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА μa
387
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5V V 9 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 4 мкА μA
589
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
50 нс нс 50 нс Н.С. Гейтс и инверторы
256
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
12 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ
699
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5,5 нс NS 12 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ
615
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
7 NS NS 13 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
406
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
8,8 нс NS 14,5 нс NS Gates & Inverters 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА μa
377
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
7,9 нс NS 7,9 нс NS Gates & Inverters 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА μa
823
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
50 нс NS 90 нс NS Gates & Inverters 8,8 мА мА через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 15 В V 1 мкА μa
553
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
3,3/5 В.
810
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
6,5 нс NS 7 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА μa
574
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
8,8 нс NS 16,5 нс NS Gates & Inverters 55,3 мг мг
712
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
7 NS NS 7 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ
614
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5 В V 9 нс NS 9,5 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 900 мм мм 55,3 мг мг
204
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
11 NS NS 11 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ
152
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5,6 нс NS 5,6 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ
795
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
9,7 нс NS 12 NS NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ
209
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
12 NS NS 15,4 нс NS Gates & Inverters 55,3 мг Mg поверхностное крепление
988
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
5,5 нс нс 5,5 нс Н.С. Гейтс и инверторы
846
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
7,7 NS NS 8,5 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ
661
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
OptoCoupler DC-In 1-C Transistor с базовым DC-Out 6-контактным PDIP SMD White T/R
291
6-SMD, Крыло Чайки
На полупроводнике
Транзистор выходные оптокуплеры OptoCoupler Phototransistor
248
4 Soic (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
OptoCoupler DC-In 1-C Transistor DC-OUT 6-контактный PDIP SMD White T/R
654
6-SMD, Крыло Чайки
На полупроводнике
OptoCoupler, SO-8, Error Amp, SMD
780
8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
OptoIsolator 5KV транзистор 8DIP
292
8-DIP (0,400, 10,16 мм)
Как мы можем вам помочь?