ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
3,3/5V V 10 NS NS 9 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 55,3 мг МГ
113
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
100 нс нс 300 нс Н.С. Гейтс и инверторы
572
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
3,3VV 12 нс нс 12 нс Н.С. Гейтс и инверторы 4MA 4MA 150 мг МГ
702
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
3,3VV 5 нс нс 12,1 нс нс 3 мм мм Гейтс и инверторы 16 мА 1,25 мм мм 29,993795 мг Мг
326
SC-74A, SOT-753
На полупроводнике
3,6 нс NS 11 нс NS 1,45 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
279
6-xflga
На полупроводнике
3,3VV 11 нс NS 11 нс NS Gates & Inverters 32ma MA 28 мг Mg поверхностное крепление
554
6-tssop, SC-88, SOT-363
На полупроводнике
5V V 9,5 нс NS 9 NS NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ
212
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
3,3VV 12,1 нс NS 12,1 нс NS 2 мм мм Гейтс и инверторы 23 г мг
858
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
50 нс NS 120 нс NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторы
797
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
13 NS NS 13 NS NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторы
673
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
17 NS NS 100 NS NS GATES & Inverters 23G MG поверхностное крепление
941
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
3,3VV 5,9 нс NS 15,6 нс NS 2 мм мм Гейтс и инверторы 32 мА 1 мм мм 23 г мг
746
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
2/5,5VV 10,6 нс NS 18,5 нс NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ
836
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
7 NS NS 10 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
979
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
3,3/5V V 7,5 нс NS 10 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг Mg поверхностное крепление
922
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
3,3VV 4,3 нс нс 5 нс Н.С. Гейтс и инверторы 32MA MA 30 мг МГ
673
SC-74A, SOT-753
На полупроводнике
125 нс NS 100 нс Н.С. Гейтс и инверторы 2,6 мА MA 30 мг МГ
355
SC-74A, SOT-753
На полупроводнике
3,3VV 5,2 нс NS 6 NS NS Gates & Inverters 218,3 мг МГ
311
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
3,3VV 6,2 нс нс 6,2 нс нс 10,2 мм мм Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ
528
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
100 нс NS 100 нс Н.С. Гейтс и инверторы 10 мА МА через поверхностное крепление отверстия 3 В ~ 18 В v 1 мкА μa
164
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
5/15 В V 110 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы
399
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
3,3/5 В V 6,5 нс NS 18,86 мм мм Гейтс и инверторы через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В v 4μa μa
582
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
7,5 нс NS 8,5 нс NS Gates & Inverters через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В v 4 мкА μa
648
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
3,3/5V V 6,5 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
492
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
3,3VV 4,2 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 1,65 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА μa
960
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
13 NS NS 13 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
492
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
5 В. V 9 нс NS 18,86 мм мм Гейтс и инверторы через поверхность отверстия 4,5 В ~ 5,5 В.
306
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
13 NS NS 75 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
466
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
3,3VV 4,3 нс NS 5 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 1,65 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА μa
453
5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
На полупроводнике
Гейтс и инверторы 4.75 В ~ 5,25 ВВ
212
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
Как мы можем вам помочь?