IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
На полупроводнике | 15 NS NS 28 NS NS GATES & Inverters 4,8 мА MA 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА мкА | 475 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 20 нс нс 20 нс Н.С. Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ | 139 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 20 нс нс 20 нс Н.С. Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ | 405 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 15 NS NS 90 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 2 мкА μA | 363 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 14 NS NS 103 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ | 543 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 21 NS NS 188 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ | 762 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 20 нс NS 25 нс NS Gates & Inverters 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА μa | 718 | 14-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 20 нс нс 25 нс Н.С. Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ | 451 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 5 нс нс 9 нс нс 1,6 мм мм Гейтс и инверторы 32 мг мг | 204 | 8-Ufqfn | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 23 NS NS 18 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 Вв 1 мкА мкА | 694 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1.7 NS NS Gates & Inverters через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV | 569 | 16-CDIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1.7 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount -Mount -4.94V ~ -5.46VV | 460 | 16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,25 нс NS 1,25 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Surface Mount -4,94V ~ -5,46VV | 735 | 16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,25 нс нс 1,4 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторы | 821 | 20-LCC (J-Lead) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1.7 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount -Mount -4.94V ~ -5.46VV | 885 | 16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,25 нс нс 1,25 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж | 431 | 20-LCC (J-Lead) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,75 нс нс 1,9 нс нс 10,0076 мм мм Гейтс и инверторы 50 мА МА 4,572 мм мм | 237 | 20-LCC (J-Lead) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,3 нс нс 1,3 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 469 | 16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,5 нс нс 1,5 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторы | 565 | 20-LCC (J-Lead) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,8 нс NS 8,965 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления | 377 | 20-LCC (J-Lead) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,25 нс NS 1,25 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Surface Mount -4,94V ~ -5,46VV | 897 | 16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 15 NS NS 90 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ | 189 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,8 нс NS 1,8 нс Н.С. Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46 В.В. | 445 | 16-CDIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | -5,2VV 1,6 нс нс 1,6 нс нс 19,5326 мм мм и инверторы 3,429 мм мм через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV | 182 | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,8 нс NS 1,8 нс Н.С. Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46 В.В. | 377 | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 1,55 нс нс 1,7 нс нс 19,175 мм мм Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV | 340 | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 2 нс нс 1,7 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж | 469 | 20-LCC (J-Lead) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 2 NS NS 19.175 мм MM Gates & Inverters через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV | 588 | 16-DIP (0,300, 7,62 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 50 нс нс 50 нс нс 9,9 мм мм Гейтс и инверторы 45 мА МА | 769 | 16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм) | | |||||||||||||||||||||||||
На полупроводнике | 100 нс нс 300 нс Н.С. Гейтс и инверторы | 281 | 14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм) | | |||||||||||||||||||||||||