ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
15 NS NS 28 NS NS GATES & Inverters 4,8 мА MA 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 2 мкА мкА
475
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
20 нс нс 20 нс Н.С. Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ
139
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
20 нс нс 20 нс Н.С. Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ
405
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
15 NS NS 90 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 2 мкА μA
363
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
14 NS NS 103 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
543
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
21 NS NS 188 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
762
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
20 нс NS 25 нс NS Gates & Inverters 1,62 г мг через поверхностное крепление отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА μa
718
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
20 нс нс 25 нс Н.С. Гейтс и инверторы 218,3 мг МГ
451
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5 нс нс 9 нс нс 1,6 мм мм Гейтс и инверторы 32 мг мг
204
8-Ufqfn
На полупроводнике
23 NS NS 18 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 Вв 1 мкА мкА
694
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1.7 NS NS Gates & Inverters через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV
569
16-CDIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
1.7 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount -Mount -4.94V ~ -5.46VV
460
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,25 нс NS 1,25 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Surface Mount -4,94V ~ -5,46VV
735
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,25 нс нс 1,4 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторы
821
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
1.7 NS NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount -Mount -4.94V ~ -5.46VV
885
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,25 нс нс 1,25 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
431
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
1,75 нс нс 1,9 нс нс 10,0076 мм мм Гейтс и инверторы 50 мА МА 4,572 мм мм
237
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
1,3 нс нс 1,3 нс Н.С. Гейтс и инверторы
469
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,5 нс нс 1,5 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторы
565
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
1,8 нс NS 8,965 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
377
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
1,25 нс NS 1,25 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Surface Mount -4,94V ~ -5,46VV
897
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
15 NS NS 90 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
189
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,8 нс NS 1,8 нс Н.С. Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46 В.В.
445
16-CDIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
-5,2VV 1,6 нс нс 1,6 нс нс 19,5326 мм мм и инверторы 3,429 мм мм через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV
182
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
1,8 нс NS 1,8 нс Н.С. Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46 В.В.
377
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
1,55 нс нс 1,7 нс нс 19,175 мм мм Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV
340
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
2 нс нс 1,7 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
469
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
2 NS NS 19.175 мм MM Gates & Inverters через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV
588
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
50 нс нс 50 нс нс 9,9 мм мм Гейтс и инверторы 45 мА МА
769
16 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
100 нс нс 300 нс Н.С. Гейтс и инверторы
281
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
Как мы можем вам помочь?