ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
Поверхностная трубка 100 мА линейные компараторы 2005 50 мА μa
326
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
Через пробирку отверстия 16 мА MA 1,5 мкс μs Линейные компараторы 106,02 дБ дБ 250NA PA 2006 1MA μa 7mv MV MV
801
8-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
Поверхностная лента и катушка (TR) 18MA MA 1,4 мкс μS Линейные компараторы 106,02 дБ дБ 250NA PA 600 мкА мкА 2 МВ МВ
408
8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
Поверхностная трубка с креплением 18 мА MA 1,3 мкс μS Линейные компараторы 100 дБ дБ 500NA PA 2012 1,1 мкА μA 7 мВ MV Mount
621
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
Поверхностная лента и катушка (TR) 20 мА MA Линейные компараторы 20 мкА PA 2005 35MA μa 7,5 мВ MV
180
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
Поверхностная трубка с креплением 16 мА MA 1,5 мкс μs Линейные компараторы 106,02 дБ дБ 250NA PA 2006 1MA μa 7 мВ MV MV
502
8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
Через дырную трубку 20 мА MA 9,6 нс μs Линейные компараторы 20 мкА PA 2005 35 мА μa 7,5 мВ MV
206
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
Поверхностная лента и катушка (TR) 16 мА MA 1,3 мкс μS Линейные компараторы 100 дБ дБ 500NA PA 2007 2,5 мАМ мк.
991
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
Поверхностная лента и катушка (TR) 100 мА MA Линейные компараторы 2007 50 мАм мкА.
737
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
Через дырную трубку 20 мА MA 9,6 нс μs Линейные компараторы 20 мкА PA 2005 35 мА μa 7,5 мВ MV
291
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
Поверхностная лента и катушка (TR) 16 мА MA 1,5 мкс μS Линейные компараторы 106,02 дБ дБ 250NA PA 2006 1MA μa 5 МВ MV Mount Mount
761
8-tssop, 8-мс (0,118, ширина 3,00 мм)
На полупроводнике
Поверхностная трубка 18 мА MA 1,3 мкс μS Линейные компараторы 106,02 дБ дБ 250NA PA 1,1 мА μA 5 мВ MV Mount
664
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
Поверхностная лента и катушка (TR) Линейные компараторы 2001
419
8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
Поверхностная лента и катушка (TR) 16 мА MA 1,5 мкс μS Линейные компараторы 100 дБ дБ 250NA PA 2011 600 мкА μa 7 мВ
814
8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
Через дырную трубку линейные компараторы 2000 года через отверстие
760
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
Поверхностная трубка 18 мА MA 1,4 мкс μS Линейные компараторы 106,02 дБ дБ 250NA PA 1MA μa 5 мВ MV
793
8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
Линейные компараторы поверхности поверхностного крепления
662
8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
7,5 нс NS 11,4 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг Mg поверхностное крепление
602
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
7,9 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Surface Mount Mount 1,65 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА мкА
689
6-ufdfn
На полупроводнике
2,9 нс NS 12 нс NS Gates & Inverters 150 мг Mg поверхностное крепление поверхностного монтажа 1,65 В ~ 3,6 В.
876
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
8 нс NS 9,5 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 2 мкА μA
358
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
12 NS NS 6,2 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг Mg поверхностное крепление
971
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
8 нс NS 9,5 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 2 мкА μA
439
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
3 нс нс 3,5 нс нс Гейтс и инверторы 150 мг МГ
425
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
54 NS NS 54 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 ВВ
528
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
11 NS NS 11 NS NS GATES & Inverters 8ma MA
472
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
7,5 нс NS 10,6 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 3,6 В.
680
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
23 NS NS 18 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 4,5 В ~ 5,5 Вв 1 мкА мкА
547
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
17 NS NS 18 NS NS GATES & Inverters 218,3 мг МГ
157
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
21 NS NS 20 нс NS Gates & Inverters 218,3 мг Mg поверхностное крепление
368
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
Как мы можем вам помочь?