ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
3,3/5V V 7 NS NS Gates & Inverters через крепление поверхности отверстия 2 В ~ 6 В v 4 мкА μa
563
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
7 нс нс 8,5 нс нс 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
887
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
8 нс нс 8,5 нс НС Гейтс и инверторы через поверхность отверстия 2 В ~ 6 В v 4 мкА мкА
864
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
8,5 нс NS 11,5 нс NS 6,35 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 6,35 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 2 В ~ 6 В v 4μa μa
296
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
1,25 нс нс 1,25 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторы
287
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
5 В V 9,5 нс НС Гейтс и инверторы через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 В.
310
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
5V V 9 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters через монтаж поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 4 мкА μA
513
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
3,3/5V V 6 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление
496
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5/15 В v 80 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
291
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
5 В. V 9 нс NS 18,86 мм мм Гейтс и инверторы через поверхность отверстия 4,5 В ~ 5,5 В.
766
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
5 В V 8,5 нс NS 9 нс NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
184
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
-5,2VV 1,6 нс NS 1,6 нс NS Gates & Inverters через поверхность отверстия -4,94 В ~ -5,46VV
206
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
11,5 нс NS 11,5 нс NS 18,86 мм мм Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия 4,5 В ~ 5,5 ВВ 4 мкА мкА
793
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
5/15 В V 50 NS NS 120 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
700
16-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
11,5 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
830
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5V V 9 NS NS 9 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
457
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
1,55 нс нс 1,55 нс Н.С. Гейтс и инверторы
903
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5 В V 8,5 нс NS 5 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
961
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
3,3/5 В.
298
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
10 нс NS 10 нс NS 8,6 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 1,45 мм мм 240,999296 мг Мг
940
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5 В V 9 нс NS 10 NS NS 8,75 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 1,5 мм мм 240,999296 мг МГ
515
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5 В V 8,5 нс NS Gates & Inverters поверхностное крепление
328
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
13 нс нс 75 нс нс 8,65 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА МА
547
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
21 NS NS 125 NS NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы 5,2 мА МА
292
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
5 В V 15 нс NS 15 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторы 4 мА МА
900
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
110 нс NS 12 NS NS 5 мм MM Gates & Inverters 5,2 мА MA 2 В ~ 6 В V 2 мкА μA
517
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
5 В V 17 NS NS 26 NS NS 5 мм мм Гейтс и инверторы 4ma MA
743
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
7,5 нс NS 14,5 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 1,65 В ~ 5,5 Вв 1 мкА μa
806
6-xflga
На полупроводнике
10,6 нс нс 20,5 нс NS Gates & Inverters 8ma ma
569
6-xflga
На полупроводнике
7,9 нс нс 7,9 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount Mount 1,65 В ~ 5,5 ВВ 1 мкА μa
357
6-xflga
Как мы можем вам помочь?