Русский
ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

Просмотреть все >>

На полупроводнике

IMG
Номер части
Производители
Посягательство
В наличии
Упаковка
RFQ
На полупроводнике
1,75 нс нс 1,75 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторы
689
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
1,25 нс NS 1,25 нс NS Gates & Inverters через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV
686
16-CDIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
1,3 нс нс 1,45 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторы
510
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
1,3 нс нс 1,45 нс нс 10,0076 мм мм Гейтс и инверторы 50 мА МА 4,572 мм мм
600
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
1,75 нс нс 19,175 мм мм Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV
388
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
1,3 нс нс 1,3 нс Н.С. Гейтс и инверторы
663
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,75 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount -Mount -4.94V ~ -5.46VV
699
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,5 нс NS 1,5 нс NS Gates & Inverters через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV
799
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
1,7 нс нс 1,7 нс нс 19,175 мм мм Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46 В.
856
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
1,25 нс NS 8,965 мм мм Гейтс и инверторы
997
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
1,8 нс NS 1,8 нс Н.С. Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46 В.В.
347
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
2 NS NS 2 NS NS 19,49 мм мм Гейтс и инверторы через крепление поверхности отверстия -4,94 В ~ -5,46VV
328
16-CDIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
1,55 нс нс 1,55 нс Н.С. Гейтс и инверторы
510
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
-5,2VV 1,6 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные крепления
408
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
1,5 нс NS 8,965 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
179
20-LCC (J-Lead)
На полупроводнике
1,55 нс нс 1,55 нс Н.С. Гейтс и инверторы
808
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,5 нс нс 1,5 нс нс 10,2 мм мм Гейтс и инверторы
736
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,25 нс нс 1,4 нс нс 19,5326 мм мм Гейтс и инверторы 50 мА 3,429 мм мм 4,535924 г мг через поверхность отверстия -4,94 В ~ -5,46 В.
255
16-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
8 нс нс 9,5 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы
169
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
5/15 В V 55 NS NS 55 NS NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторы
255
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5/15 В V 100 NS NS 300 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 3V ~ 18 В V 1 мкА μa
172
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
5/15 В v 80 нс NS 250 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Surface Mount 3 В ~ 18 В V 1 мкА μa
317
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
3,3/5V V 7 NS NS 10 NS NS 10,2 мм мм Гейтс и инверторы
740
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
7 NS NS 10 NS NS 6,35 мм мм Гейтс и инверторы 24 мА MA 6,35 мм мм 4,535924 г мг через крепление поверхности отверстия 2 В ~ 6 В v 4 мкА μa
267
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
1,5 нс нс 1,5 нс нс 10,2 мм мм Гейтс и инверторы
384
16 SOIC (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
3,3/5V V 9 нс NS 8,65 мм мм Гейтс и инверторные поверхностные монтаж
668
14 Soic (0,154, ширина 3,90 мм)
На полупроводнике
7,5 нс нс 8,5 нс нс 5 мм мм Гейтс и инверторы
106
14-tssop (0,173, ширина 4,40 мм)
На полупроводнике
6 NS NS 9 NS NS GATES & Inverters 24MA MA через поверхностное крепление отверстия 2 В ~ 6 В v 4 мкА μa
227
14-DIP (0,300, 7,62 мм)
На полупроводнике
3,3/5V V 7,5 нс NS 9,5 нс NS Gates & Inverters Surface Mount Mount Mount 2V ~ 6V V 4 мкА μA
127
14 Soic (0,209, ширина 5,30 мм)
На полупроводнике
1,55 нс нс 1,55 нс нс 8,965 мм мм Гейтс и инверторы
937
20-LCC (J-Lead)
  • daily
    10000+

    Ежедневное количество заказа

  • alternative
    5000 000+

    Альтернативные части

  • worldwide
    2800+

    Мировые производители

  • in-stock
    15 000 ㎡

    На складе

Как мы можем вам помочь?