IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP USA Inc. | Airfast RF Power LDMOS Transisto | 540 | OM-1230-4L2S | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | RF Power LDMOS Transistor для CO | 848 | OM-780-2 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Airfast RF Power Gan Transistor | 755 | - | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Прогноз ACP1230S-4L2L | 294 | ACP-1230S-4L2S | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans Mosfet N-CH 65V 2-контактный Ni-780GS T/R | 493 | Ni-780GS-2 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Airfast RF Power LDMOS Transisto | 997 | Ni-780-2S2L | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | RF MOSFET Transistors BL RF | 885 | OM-780-2 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans RF MOSFET N-CH 70 В 3-контактный случай 2021-03 T/R | 200 | OM-780-2 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Основная база | 895 | SOT-502B | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Transistor RF LDMOS SOT502A | 457 | SOT-502A | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Основная база | 984 | SOT-502A | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | PDF и транзисторы MRF377HR3 PDF и транзисторы - FETS, MOSFET - РЧ -детали продукта от акций NXP USA Inc. Доступны на Feilidi | 288 | Ni-860C3 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | FET RF 70V 860 МГц Ni-360s | 186 | Ni-360s | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | FET RF 65V 1,99 ГГц NI-78O | 450 | Ni-780 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | JFET N-CH 30 В 25 мА TO-92 | 974 | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (сформированные отведения) | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | FET RF 65V 2,17 ГГц NI-1230 | 722 | NI-1230 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Основная база | 586 | SOT-502B | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | FET RF 70V 860 МГц Ni-360s | 666 | Ni-360s | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans Mosfet N-CH 65V 4-контактный Ni-780S T/R | 220 | Ni-780-2S2L | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 1,91 ГГц NI780S | 783 | Ni-780S-4 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-контактный Ni-780S T/R | 864 | Ni-780S | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans Mosfet N-CH 8-контактный Ni-880x T/R | 607 | Ni-880X-4L4S-8 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | MRF8P9210NR3 PDF и транзисторы - FETS, MOSFETS - РЧ -подробности продукта от NXP USA Inc. | 650 | Ni-780-4 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | 1,8 ГГц 360 Вт ACP1230S-4L2 | 428 | ACP-1230S-4L2S | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans Mosfet N-CH 65V 0,00001A 4-контактный Ni-780S T/R | 990 | Ni-780S-2L2LA | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Airfast RF Power LDMOS Transisto | 376 | Ni-780-2S2L | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | RF MOSFET Transistors 2110-2170 МГц 55 Вт. 28 В | 545 | Ni-880xS-2L-2L | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans Mosfet N-CH 65V 0,00001A 4-контактный NI-780GS T/R | 675 | Ni-780GS-2L2LA | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-контактный Ni-780S T/R | 891 | Ni-780S | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | RF MOSFET Transistors HV8 1,8 ГГц 210 Вт | 491 | Ni-880XS-2 GW | | |||||||||||||||||||||||||