IMG | Номер части | Производители | Посягательство | В наличии | Упаковка | RFQ | |||||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NXP USA Inc. | Trans GP BJT NPN 12V 0,06A 4-контактный (3+вкладка) SC-73 T/R | 793 | До 261-4, до 261AA | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | РФ биполярные транзисторы NPN 25 ГГц широкополосный транзистор | 597 | SC-82A, SOT-343 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | RF Trans NPN 10V 1,9 ГГц 4SO | 365 | SOT-343 обратное прикрепление | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | RF широкополосный транзистор, NPN, 10V, 8,5 ГГц, 3SOT323 - Подробнее | 764 | SC-70, SOT-323 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans NPN 4,5 В 18 ГГц SOT143R | 615 | SOT-143R | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans GP BJT NPN 15V 0,1A 4-контактный (3+вкладка) SC-73 T/R | 785 | До 261-4, до 261AA | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans Pnp 12V 5 ГГц SOT-23 | 553 | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans RF NPN 9GHZ 15V SOT143 | 564 | До 253-4, до 253аа | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans NPN 120MA 15V 9 ГГц SOT23 | 121 | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | РФ биполярные транзисторы Одиночный NPN 15 В 100 мА 1W 25 5,5 ГГц | 392 | До 261-4, до 261AA | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | RF Trans NPN 10V 8 ГГц до 236AB | 732 | До 236-3, SC-59, SOT-23-3 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans RF NPN 9GHZ 15V SOT143B | 504 | До 253-4, до 253аа | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | RF MOSFET Transistors MV9 55W 12,5 В до 270WB4G | 509 | До-270BB | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | FET RF 68V 2,17 ГГц до 270G-2 | 350 | До-270BA | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans Mosfet N-CH 142V 2-контактный до-270 T/R | 897 | До-270BA | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | AF3IC 800 МГц 20W PQFN8X8 | 881 | - | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Транс 1,8--600 МГц 150 Вт CW 50 В | 384 | До 270-4 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Airfast RF Power Gan Transistor | 145 | - | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | RF MOSFET LDMOS DUAL 28 В OM780-4 | 856 | OM780-4 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | RF AMP-модуль единый мощность AMP 2700 МГц 16-контактный до 272 WB T/R | 393 | Вариант до 272-16, плоские свинцы | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Транс 1,8--600 МГц 150 Вт CW 50 В | 894 | До-270BB | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | RF MOSFET Transistors VHV6 50 В 4,5 Вт до 272WB4 | 413 | До-272BB | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans NPN 10V 20 мА 8 ГГц SOT323 | 122 | SC-70, SOT-323 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Trans Wideband 9 ГГц SOT-343 15V | 895 | SC-82A, SOT-343 | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Airfast RF Power LDMOS Transisto | 286 | - | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Airfast RF Power LDMOS Transisto | 542 | OM-1230-4L2S | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Airfast RF Power LDMOS Transisto | 360 | OM-880X-2L2L | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Airfast RF Power LDMOS Transisto | 337 | ACP-1230S-4L2S | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | RF MOSFET Transistors BL RF | 857 | Ni-780S-2L2LA | | |||||||||||||||||||||||||
NXP USA Inc. | Широкополосный RF Power LDMOS Transist | 472 | Ni-650H-4L | | |||||||||||||||||||||||||