Все продукты

Геотс иниртор

IMG	Nomer чaSti	Проиджодели	Поосгартел	Вналишии	Упако
	NC7S04M5	На то, чтобы	2/6 В.	823	SC-74A, SOT-753
	74LV00N, 112	NXP USA Inc.	3,3 В. Геутс ингертор 1- ~ 5,5 В	173	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74abt32db, 118	Nexperia USA Inc.	3,4 млн. С. 2,3 млн. С.С. Геотс иниртор	387	14-ssop (0,209, ширина 5,30 мм)
	NC7S08M5	На то, чтобы	125 NS NS 125 NS NS 3 ММММ ГЕХЕТ	511	SC-74A, SOT-753
	NL17SZ04XV5T2	На то, чтобы	3,3VV 4,3 млн. М. 12 млн. Геотс и.	777	SOT-553
	NC7S00M5	На то, чтобы	17 млн. С. 125 млн. С. 3 мммммгер.	360	SC-74A, SOT-753
	NLSF308MNR2	На то, чтобы	7,9 млн. С. 3 ммммгер	599	16-vfqfn otkrыtai-anploщadka
	MC74LCX14DTR2	На то, чтобы	3,3VV 6,5 млн. NS 5 мм мм.	385	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	BU4081B	ROHM Semiconductor	50 млн. Н.С. 160 м.	886	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	NL17SZ08XV5T2	На то, чтобы	3,3VV 4,5 млн. С. 5,2 млн. Геотс иниртор	638	SOT-553
	NL17SZ06XV5T2	На то, чтобы	3,3VV 3 ns.s. Геотс иниртор	161	SOT-553
	NL17SZU04XV5T2	На то, чтобы	3,3VV 5 млн. NS 12,1 млн. Н. Гейтс и инверторс	590	SOT-553
	MC74LVXU04DR2	На то, чтобы	3,3VV 9,7 млн. Н. Ст.	567	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	MC74VHC1G09DTT1	На то, чтобы	3 мммммер	334	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
	NL17SV08XV5T2	На то, чтобы	2,3 ns ns Гейтс и инверторы	337	SOT-553
	NL17SZ14XV5T2	На то, чтобы	3,3VV 5,9 млн. Н. Ст.	182	SOT-553
	MC74HC1GU04DTT1	На то, чтобы	2/6.	778	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
	74VHC05TTR	Stmicroelectronics	2/5,5VV 12 млн. Н. 7,5 млн. Н. МММММММЕР.	167	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	MC74HC1G02DTT1	На то, чтобы	17 млн. С. 100 млн. С. 3 мм мм Гехтс и.	751	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
	NL17SZ32XV5T2	На то, чтобы	3,3VV 4,5 млн. С. 5,2 млн. Геотс иниртор	927	SOT-553
	74F14PC	На то, чтобы	10,5 млн. Н.С. 11,5 млн. Н.С.	461	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	MC74VHC1GT04DF2G	На то, чтобы	3,3/5 В v 7,7 млн. Н.С. 17,5 млн. Нс 2 мммммер.	476	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
	SN74LVC2G02YEPR	Тел	3,3VV 4,4 млн. С. 1,9 мммммер	755	8-xFBGA, DSBGA
	NC7S02M5	На то, чтобы	125 NS NS 125 NS NS 3 ММММ ГЕХЕТ	684	SC-74A, SOT-753
	NL27WZ86US	На то, чтобы	3,3VV 4,2 млн. С. 5,4 млн. С. Геотс иниртор	156	8 vfsop (0,091, Ирина 2,30 мм)
	SN74AUC1G86YEPR	Тел	2 NS NS GATES & Inverters поверхностное крепление крепления	547	5-xfbga, dsbga
	MC74VHC1GT86DTT1	На то, чтобы	8,8 м.	930	SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5
	TC7W02FUTE12LF	Toshiba semiconductor и хraneneee	Gates & Inverters 2V ~ 6V V	473	8-tssop, 8-марс (0,110, ширина 2,80 мм)
	74lx1gu04ctr	Stmicroelectronics	3,3vv 3 ns 7 ns ns 2mmmmmmmehyts и.	446	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353
	MC14011BCPG	На то, чтобы	80 NS NS 80 NS NS 19,56 мммммгер.	118	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
\| < < 152 153 154 155 156 157 158 159 160 > > \|

Все продукты

Геотс иниртор

Скайп

скайп

RFQ