Все продукты

Геотс иниртор

IMG	Nomer чaSti	Проиджодели	Поосгартел	Вналишии	Упако
	TC7WH14FU (TE12L)	Toshiba semiconductor и хraneneee	10,6 нс нс Гейтс и инверторы	208	8-tssop, 8-марс (0,110, ширина 2,80 мм)
	TC74VHCT04AFTEL	Toshiba semiconductor и хraneneee	5 v 7,7 млн. С. 5 ммммгер	110	14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм)
	SN74LVC1G02YZAR	Тел	3,3VV 4 млн. М. 4,5 млн. Геотс иниртор	651	5-xfbga, dsbga
	SN74LVC1G08YEAR	Тел	3,3VV 4 млн. М. 4,5 млн. Геотс иниртор	192	5-xfbga, dsbga
	NC7SZ38M5	На то, чтобы	3,3VV 13,2 млн. Н. Ст.	750	SC-74A, SOT-753
	SN74AUC1G04YEAR	Тел	1,9 млн. С. 1,9 млн. С.С. Геотс иниртор	981	5-xfbga, dsbga
	SN74AUC1GU04YEAR	Тел	2,1 млн. Н. 2,1 млн. Н.С.	274	5-xfbga, dsbga
	SN74LVC2G86YEAR	Тел	3,3VV 3,6 млн. С. 1,9 ммммме	891	8-xFBGA, DSBGA
	TC74AC32P	Toshiba semiconductor и хraneneee	3,3/5 V V 7,4 млн. NS 11,9 мкл.	789	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	SN74LVC2G00YZAR	Тел	3,3VV 3,3 млн. С. 3,3 млн. Геотс и.	292	8-xFBGA, DSBGA
	SN74LVC1G00YZAR	Тел	3,3VV 4 ns 4 нс NS Gates & Inverters Поверхностные горы крепвергнуть горе 1,65 n 5,5.	144	5-xfbga, dsbga
	SN74LVC1G08YEPR	Тел	3,3VV 4 ns 4 нс NS Gates & Inverters Поверхностные горы крепвергнуть горе 1,65 n 5,5.	455	5-xfbga, dsbga
	SN74LVC1G86YZAR	Тел	3,3VV 4 ns 4 нс NS Gates & Inverters Поверхностные горы крепвергнуть горе 1,65 n 5,5.	885	5-xfbga, dsbga
	SN74LVC1G04YEPR	Тел	3,3VV 3,7 млн.	258	5-xfbga, dsbga
	SN74LVC2G08YZAR	Тел	3,3VV 3,8 млн. С. 1,9 ммммме	246	8-xFBGA, DSBGA
	74act02mtr	Stmicroelectronics	5 V 8 NS NS 8 NS NS 8,65 МММММЕ	389	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	SN74AUC1G08YEPR	Тел	2 NS NS GATES & Inverters поверхностное крепление крепления	809	5-xfbga, dsbga
	74act14mtr	Stmicroelectronics	5 В v 11,4 млн. Н. 14 млн. Н. Ст.	413	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74LCX00MTR	Stmicroelectronics	3,3VV 4,3 млн. С. 5,1 млн. С. 8,65 мм мм.	662	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	HCF4049UM013TR	Stmicroelectronics	3/15 V 120 млн. Н.С. 50 млн. Н.С. 9,9 мммммгер.	423	16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	HCF40106M013TR	Stmicroelectronics	5/15 В.	931	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	HCF4081M013TR	Stmicroelectronics	90 млн. Н.С. 90 млн. Н.С. 8,65 мммммгер	116	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74lx1g04str	Stmicroelectronics	3,3VV 11,5 млн. Н. С. 11,5 млн. Н.С. 2,9 ммммгер.	536	SC-74A, SOT-753
	HCF4011M013TR	Stmicroelectronics	90 млн. Н.С. 90 млн. Н.С. 8,65 мммммгер	551	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74V1G02Str	Stmicroelectronics	9,5 млн. Н.С. 9,5 млн. Н.С. 6,35 мм мм, 8,35 мм, 4,535924 г, 8 мА 6,35 м.	110	SC-74A, SOT-753
	74V1G14str	Stmicroelectronics	12 м.	525	SC-74A, SOT-753
	74V1G32Str	Stmicroelectronics	9,5 млн. С. 9,5 млн. С. 3 ммммме	411	SC-74A, SOT-753
	74V1GU04STR	Stmicroelectronics	10 млн. Н.С. 6 м.	381	SC-74A, SOT-753
	M74HC11B1R	Stmicroelectronics	2/6 В. V 14 нс NS 85 NS NS 25,4 мммммммгётс ииртора 5,2 м. В	573	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74V2G08str	Stmicroelectronics	7 NS NS 8,5 млн. Н.С.	895	SOT-23-8
\| < < 148 149 150 151 152 153 154 155 156 > > \|

Все продукты

Геотс иниртор

Скайп

скайп

RFQ