Все продукты

Геотс иниртор

IMG	Nomer чaSti	Проиджодели	Поосгартел	Вналишии	Упако
	N74F08D, 623	Nexperia USA Inc.	5,6 м.	268	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74AHCT2G00DP, 125	Nexperia USA Inc.	5 v 7,9 млн. С. 3,6 млн. С. 3 ммммммер.	980	8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм)
	CD4001BCN	На то, чтобы	250 нс ns 250 нс ns gates и инверторы 8,8 мА ma ereзperхnostnoe krepleyenee otwer -yrtypip 3- ~ 15 v 1 мк	941	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	HEF4025BP, 652	NXP USA Inc.	5/15 В.	761	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74LVC27D, 112	NXP USA Inc.	8,65 мм мм Гехтс ингертор 1,2 n 3,6 В.	883	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	MM74C914N	На то, чтобы	200 млн. NS 200 ns ns Gates & Inverters 16 мама Ma -ereзperхnoStnoe krepleneeene oTwerStipyan 3 V ~ 15 v 50na μa	162	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	MM74C14N	На то, чтобы	200 млн. NS 200 ns ns Gates & Inverters 16 мама Ma -ereзperхnoStnoe krepleneeene oTwerStipyan 3 V ~ 15 v 50na μa	531	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74HC21N, 652	NXP USA Inc.	Gates & Inverters 2V ~ 6V V	556	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	DM74S00N	На то, чтобы	Геотс и.	972	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	MM74HC02N	На то, чтобы	15 нс NS 15 NS NS GATES & Inverters 5,2 MMA MA 1 620005G МОРЕСА	650	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74HC27N, 652	NXP USA Inc.	2/6 В.	775	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74HCT20N, 652	NXP USA Inc.	Геотс ингерто 4,5 -5,5	670	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	MM74HC04N	На то, чтобы	16 нс нс 16 нс ns gates & inverters 5,2 мам 1 620005 г мг.	612	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	DM74AS00N	На то, чтобы	4,5 млн. Н.С. 4,5 млн. Гейтса и инверторов.	915	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	MM74HC132N	На то, чтобы	21 млн. С. 20 млн. Геотс и.	840	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	HEF4077BP, 652	NXP USA Inc.	5/15 - Противигтс ингерторо 3 В ~ 15	671	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74AC86PC	На то, чтобы	8,5 млн. NS 11,5 млн. Н. Гейтс и инверторы 1,62 gmgereзperхnostnoe krepleonee otwrstieman 2- ~ 6 v 2μa µa	660	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74AC04SC	На то, чтобы	10 млн. NS 7 NS NS 8,75 ммммгер.	184	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74VHC08M	На то, чтобы	12 м.	641	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	CD4049UBCM	На то, чтобы	35 NS NS 35 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 3V ~ 15V V 30NA μa	292	16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	HEF4093BP, 652	NXP USA Inc.	5/15 - Противигтс ингерторо 3 В ~ 15	687	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74f11sc	На то, чтобы	5,6 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters Surface Mount Mount Mount 4,5- ~ 5,5 В.	538	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	DM74AS00M	На то, чтобы	4,5 млн. Н. Ст.	529	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	74act08sc	На то, чтобы	5 v 9 млн. Н.С. 10 млн. Н.С. 8,75 мммммгер.	587	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	DM74ALS04BM	На то, чтобы	11 NS NS 11 NS NS GATES & Inverters 8ma MA	116	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	DM74AS21N	На то, чтобы	6 NS NS 6 NS NS GATES & Inverters.	351	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	74act04sc	На то, чтобы	5 В против 8,5 млн. Н.С. 9 млн. Н. Гейтс и инверторы 24ma 1,75 мм мм 150 м.	224	14 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
	DM74AS08N	На то, чтобы	5,5 мкл 5,5 млн. Гейтса и инверторов.	736	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	DM74AS04N	На то, чтобы	5 нс нс 5 нс нс Гейтс и инверторы.	207	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
	TC74HC03AP	Toshiba semiconductor и хraneneee	13 NS NS 12 NS NS GATES & Inverters.	436	14-Dip (0,300, 7,62 ММ)
\| < < 151 152 153 154 155 156 157 158 159 > > \|

Все продукты

Геотс иниртор

Скайп

скайп

RFQ