Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

ZXMN10A25KTC

DIODES INC. ZXMN10A25KTC MOSFET транзистор, N-канальный, 6,4 А, 100 В, 125 МОм, 10 В, 4 В

Производитель: Диодс Инкорпорейтед
Номер оригинального чипа: 233-ЗХМН10А25КТЦ
Упаковка: ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Техническая спецификация: PDF
Запас: 181
Описание: DIODES INC. ZXMN10A25KTC MOSFET транзистор, N-канальный, 6,4 А, 100 В, 125 МОм, 10 В, 4 В (кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в СИНЬЦЗИАДА.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Срок выполнения заказа на заводе	17 недель
Установить	Поверхностный монтаж
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Количество контактов	3
Материал транзисторного элемента	КРЕМНИЙ
Рабочая температура	-55°C~150°C, ТиДжей
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Опубликовано	2002 г.
Код JESD-609	е3
Код Pbfree	нет
Статус детали	Активный
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Количество окончаний	2
Прекращение действия	СМД/СМТ
ECCN-код	EAR99
Сопротивление	125 мОм
Терминальные отделки	Матовый олово (Sn)
Подкатегория	Полевой транзистор общего назначения
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Терминальная форма	КРЫЛО ЧАЙКИ
Пиковая температура оплавления (Цел)	260
Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	40
Количество контактов	3
Код JESD-30	Р-ПССО-Г2
Количество элементов	1
Количество вариантов	1
Рассеиваемая мощность-Макс.	2,11 Вт Та
Конфигурация элемента	Одинокий
Режим работы	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ
Рассеяние активности	9,85 Вт
Соединение корпуса	ОСУШАТЬ
Включить время задержки	4,9 нс
Тип полярного транзистора	N-канал
Применение транзистора	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	125 мОм при 2,9 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	4 В @ 250 мкА
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	859пФ при 50 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	4.2А Та
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	17,16 НК при 10 В
Время подъема	3,7 нс
Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	6В 10В
ВГС (Макс)	±20 В
Осень (тип.)	9,4 нс
Время задержки отключения	17,7 нс
Непрерывный ток стока (ID)	6,4А
Пороговое напряжение	4В
Напряжение от затвора до источника (Vgs)	20 В
Максимальный сток (Abs) (ID)	4,2А
Напряжение проба стока к источнику	100 В
Двойное напряжение питания	100 В
Номинальный объем	4 В
Высота	2,39 мм
Длина	6,73 мм
Ширина	6,22 мм
Радиационная закалка	Нет
ДОСТИГНУТЬ СВХК	Нет СВХК
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Без свинца	Без свинца