Все продукты

VS-GA200SA60SP

Vishay VS-GA200SA60SP IGBT Single Transistor, 200 A, 1,1 В, 630 м.

Проиджоделх: Otdelpoprovowodnykowых -diodowwвaй
Origchip №: 884-VS-GA200SA60SP
Епаково: SOT-227-4, Minibloc
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 108
Описани: Vishay vs-ga200sa60sp Igbt Single Transistor, 200 A, 1,1 В, 630 st, 600 v, Иотоп, 4 (К.)

Поку Ипрос

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnavan apapryka, braзilia, indian
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Парметр
Управый	Креплэни, Винт
МОНТАНАНГИП	ШASCI
PakeT / KORPUES	SOT-227-4, Minibloc
Колист	4
MATERIOLTRANSHOTORA	Кремни
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Опуликовано	2000
Статус	Управо
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Колист	4
КОД ECCN	Ear99
Доленитейн Ая	Ульюргин
МАКСИМАЛЕВАЯ	630 Вт
Терминала	Вергини
Терминаланая	НЕВЕКАНА
Колист	1
Коунфигура	Одинокий
R.	630 Вт
Слюна	Иолирована
Синла - МАКС	781 Вт
Прилоэна	ЕПРЕЙНЕЕ
Верна	60ns
Пола	N-канал
Wshod	Станода
NapraheneEnee yзluчalelelelekelekhyonera (vceo)	600
МАККСКОЛЕРНА	342а
Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS)	1MA
Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles	600
Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera	1,1 В.
Взёд	16.25nf
Klючite -wreman	132 м
Vce (on) (max) @ vge, ic	1,3- 15 -й.
Верхите-мему-nom (toff)	2160 м
NTC Thermistor	Не
Odnana emcostath (cies) @ vce	16.25nf @ 30v
DOSTIчH SVHC	НЕИ
Статус Ройс	Rohs3

СМ. С.