ВАЛЮТА:доллар США

Все продукты

ТЭП5700

VISHAY SEMICONDUCTOR TEPT5700 ТРАНСИСТОР, ФОТО, NPN, 570НМ, Т-1 3/4


  • Производитель: Подразделение Vishay Semiconductor Opto
  • Номер оригинального чипа: 879-ТЕПТ5700
  • Упаковка: Радиальный
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 322
  • Описание: VISHAY SEMICONDUCTOR TEPT5700 ТРАНСИСТОР, ФОТО, NPN, 570НМ, Т-1 3/4 (Кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в XINJIADA.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж ответит на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран.
transport

Подробности

Теги

Параметры
Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) 1,5 В
Макс. ток коллектора 20 мА
Длина волны – пик 570 нм
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
Потребляемая мощность 100мВт
Максимальный переход температуры (Tj) 100°С
Диапазон температуры окружающей среды: высокий 85°С
Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин.
Темный ток 3нА
Инфракрасный спектр НЕТ
Текущий — Темный (Id) (Макс.) 50нА
Световой ток-ном. 0,075 мА
Высота 8,58 мм
Длина 5,7 мм
Ширина 5,7 мм
Радиационная закалка Нет
ДОСТИГНУТЬ СВХК Неизвестный
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Без свинца Без свинца
Срок выполнения заказа на заводе 26 недель
Установить Сквозное отверстие
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи Радиальный
Количество контактов 2
Форма КРУГЛЫЙ
Рабочая температура -40°С~85°С ТА
Упаковка Масса
Опубликовано 2011 год
Код Pbfree да
Статус детали Активный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Дополнительная функция ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ
Подкатегория Фототранзисторы
Максимальная рассеиваемая мощность 100мВт
Ориентация Вид сверху
Количество функций 1
Тип выхода Аналоговый
Рабочее напряжение питания
Количество элементов 1
Полярность НПН
Конфигурация ОДИНОКИЙ
Рассеяние активности 100мВт
Угол обзора 100°
Тип оптоэлектронного устройства ФОТО ТРАНЗИСТОР
Стиль объектива Плоский
См. соответствующие данные таблицы.
Как мы можем вам помочь?