Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

SIS782DN-T1-GE3

МОП-транзистор 30 Вольт 16 А 41 Вт

Производитель: Вишай Силиконикс
Оригинальный номер чипа: 880-SIS782DN-T1-GE3
Упаковка: PowerPAK® 1212-8
Техническая спецификация: PDF
Запас: 978
Описание: MOSFET 30 Вольт 16 А 41 Вт (кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в СИНЬЦЗИАДА.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж ответит на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Срок выполнения заказа на заводе	14 недель
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	PowerPAK® 1212-8
Поверхностный монтаж	ДА
Материал транзисторного элемента	КРЕМНИЙ
Рабочая температура	-50°С~150°С ТДж
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Статус детали	Активный
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Количество окончаний	5
ECCN-код	EAR99
Подкатегория	Полевой транзистор общего назначения
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Положение терминала	ДВОЙНОЙ
Терминальная форма	С ИЗГИБ
Пиковая температура оплавления (Цел)	НЕ УКАЗАН
Достичь соответствия кода	неизвестный
Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	НЕ УКАЗАН
Количество контактов	8
Код JESD-30	S-XDSO-C5
Статус квалификации	Не квалифицирован
Количество элементов	1
Конфигурация	ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Количество вариантов	1
Рассеиваемая мощность-Макс.	41 Вт Тс
Режим работы	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ
Соединение корпуса	ОСУШАТЬ
Включить время задержки	8 нс
Тип полярного транзистора	N-канал
Применение транзистора	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	9,5 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,3 В @ 250 мкА
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1025пФ при 15В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	16А Ц
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	30,5 НК при 10 В
Время подъема	13нс
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30В
Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	4,5 В 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Осень (тип.)	9 нс
Время задержки отключения	14 нс
Непрерывный ток стока (ID)	16А
Напряжение от затвора до источника (Vgs)	20 В
Источник стока при максимальном сопротивлении	0,0095Ом
Максимальный импульсный ток стока (IDM)	50А
DS Напряжение проба-мин.	30В
Особенность левого транзистора	Диод Шоттки (корпус)
Статус RoHS	Соответствует RoHS