Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

СИС322ДНТ-Т1-GE3

МОП-транзистор 30 В 7,5 мОм при 10 В 38,3 А Н-Ч Г-IV

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер оригинального чипа: 880-SIS322DNT-T1-GE3
Упаковка: PowerPAK® 1212-8
Техническая спецификация: PDF
Запас: 269
Описание: МОП-транзистор 30 В 7,5 мОм при 10 В 38,3 А Н-Ч Г-IV (кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в СИНЬЦЗИАДА.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Код JESD-30	С-ПДСО-С5
Количество элементов	1
Количество вариантов	1
Рассеиваемая мощность-Макс.	3,2 Вт Ta 19,8 Вт Tc
Конфигурация элемента	Одинокий
Режим работы	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ
Соединение корпуса	ОСУШАТЬ
Включить время задержки	30 нс
Тип полярного транзистора	N-канал
Применение транзистора	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	7,5 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,4 В при 250 мкА
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	1000пФ при 15В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	38,3А Тс
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	21,5 НК при 10 В
Время подъема	20нс
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30 В
Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	4,5 В 10 В
ВГС (Макс)	+20В, -16В
Осень (тип.)	14 нс
Время задержки отключения	30 нс
Непрерывный ток стока (ID)	38,3А
Пороговое напряжение	1,2 В
Напряжение от затвора до источника (Vgs)	2,4 В
Источник стока при максимальном сопротивлении	0,0075Ом
Максимальный импульсный ток стока (IDM)	70А
DS Напряжение проба-мин.	30 В
Рейтинг лавинной энергии (Eas)	5 мДж
Радиационная закалка	Нет
ДОСТИГНУТЬ СВХК	Неизвестный
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Срок выполнения заказа на заводе	13 недель
Установить	Поверхностный монтаж
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	PowerPAK® 1212-8
Количество контактов	8
Материал транзисторного элемента	КРЕМНИЙ
Рабочая температура	-55°C~150°C, ТиДжей
Упаковка	Диги-Рил®
Опубликовано	2004 г.
Ряд	ТренчFET®
Статус детали	Снято с производства
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Количество окончаний	5
ECCN-код	EAR99
Подкатегория	Полномочия общего назначения FET
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Положение терминала	ДВОЙНОЙ
Терминальная форма	С ИЗГИБ