Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

SIR872ADP-T1-GE3TR-ND, SIR872ADP-T1-GE3CT-ND, SIR872ADP-T1-GE3DKR-ND

Производитель: Вишай Силиконикс
Оригинальный чип №: SIR872ADP-T1-GE3
Упаковка: Лента и катушка (TR), вырезанная лента (CT), Digi-Reel®
Техническая спецификация: -
Запас: 0
Описание: (Кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете link заказ без регистрации в Синьцзяда.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос предложений (запрос на цитаты)

Используйте запросы цен, чтобы получить последние цены и запасы запчастей.
Наша продажа обеспечивает ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

Важно!

1. Вы получите информацию о оставшемся письме в почтовом ящике. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнитный спам, если вы не слышали от нас).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам собирается оплатить заказ и Сообщите, есть ли какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Доставка начинается от 40 долларов, но в некоторые страны превысят 40 долларов. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. Д.)
Основной груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Метод доставки

В настоящее время наши товары отправляются через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После того, как товары будут отправлены, предполагаемое время доставки зависит от выбранных вами методов доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже представлено логистическое время некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON)	7,5 В, 10 В.
Ток - непрерывная дренаж (ID) при 25°С	53,7А (ТС)
Ряд	Тренчфет®
Рохс	Рохс
Тип полевого транзистора	N-канал
ВГС (макс)	± 20 В.
Технология	МОСФЕТ (оксид металла)
Функция полевого транзистора	-
Статус частично	Активный
Монтажный тип	Поверхностное крепление
Пакет / корпус	PowerPak® SO-8
Vgs (th) (макс.) @ id	4,5 В при 250 мкА
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТДж)
Rds on (макс.) @ id, vgs	18 МОм @ 20А, 10 В
Рассеяние власти (макс)	6,25 Вт (ТА), 104 Вт (TC)
Поставщик пакета устройства	PowerPak® SO-8
Заряд затвора (qg) (max) @ vgs	47 НЗ @ 10 В
Сменить до источника напряжения (VDS)	150 В.
Входная емкость (СНПЧ) (макс) @ vds	1286 ПФ @ 75 В