Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

SIR836DP-T1-GE3

Серия SiR836DP N-канальный, 40 В, 0,0225 Ом, 15,6 Вт, SMT Mosfet — PowerPAK SO-8

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер оригинального чипа: 880-SIR836DP-T1-GE3
Упаковка: ПауэрПАК® СО-8
Техническая спецификация: PDF
Запас: 755
Описание: Серия SiR836DP N-канальный, 40 В, 0,0225 Ом, 15,6 Вт, SMT Mosfet — PowerPAK SO-8 (кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в XINJIADA.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Срок выполнения заказа на заводе	14 недель
Контактное покрытие	Олово
Установить	Поверхностный монтаж
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	ПауэрПАК® СО-8
Количество контактов	8
Масса	506,605978мг
Материал транзисторного элемента	КРЕМНИЙ
Рабочая температура	-55°C~150°C, ТиДжей
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Опубликовано	2010 год
Ряд	ТренчFET®
Код JESD-609	е3
Код Pbfree	да
Статус детали	Активный
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Количество окончаний	5
ECCN-код	EAR99
Сопротивление	22,5 МОм
Подкатегория	Полевой транзистор общего назначения
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Положение терминала	ДВОЙНОЙ
Терминальная форма	С ИЗГИБ
Пиковая температура оплавления (Цел)	260
Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	40
Количество контактов	8
Код JESD-30	Р-XDSO-C5
Количество элементов	1
Конфигурация	ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ
Количество вариантов	1
Рассеиваемая мощность-Макс.	3,9 Вт Ta 15,6 Вт Tc
Режим работы	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ
Рассеяние активности	3,9 Вт
Соединение корпуса	ОСУШАТЬ
Включить время задержки	14 нс
Тип полярного транзистора	N-канал
Применение транзистора	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	19 мОм при 10 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В при 250 мкА
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	600пФ при 20В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	21А Тц
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	18 НК при 10 В
Время подъема	19нс
Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	4,5 В 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Осень (тип.)	11 нс
Время задержки отключения	17 нс
Непрерывный ток стока (ID)	21А
Напряжение от затвора до источника (Vgs)	20 В
Напряжение проба стока к источнику	40В
Максимальный импульсный ток стока (IDM)	50А
Рейтинг лавинной энергии (Eas)	5 мДж
Номинальный объем	1,2 В
Радиационная закалка	Нет
ДОСТИГНУТЬ СВХК	Неизвестный
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Без свинца	Без свинца