Все продукты

SIHF7N60E-E3

Vishay SIHF7N60E-E3 MOSFET Transistor, N-Kanal, 7 A, 600 В, 0,5 ОМ, 10 В, 2 В

Проиджоделх: Виаликоеникс
Origchip №: 880-SIHF7N60E-E3
Епаково: 220-3-
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 782
Описани: Vishay SIHF7N60E-E3 MOSFET Transistor, N-Kanal, 7 A, 600-v, 0,5 ОМ, 10 В, 2 В (К.)

Поку Ипрос

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnamana apaprika, braзilaipa, Индель
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Парметр
Верна -	14
Управый	Чereз dыru
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
PakeT / KORPUES	220-3-
Колист	3
МАССА	6.000006G
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Упако	Трубка
Опуликовано	2014
Статус	Актифен
Вернояж	1 (neograniчennnый)
КОД ECCN	Ear99
Подкейгория	Фебур
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Колист. Каналов	1
Power Dissipation-Max	31W TC
Коунфигуразия	Одинокий
R.	31W
В.	13 млн
ТИП ФЕТ	N-канал
Rds on (max) @ id, vgs	600 м ω @ 3,5а, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 250 мк
Взёр.	680pf @ 100v
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	7A TC
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	40nc @ 10v
Верна	13ns
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	600
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Vgs (mmaks)	± 30 v
Я не могу	14 млн
Otklючitath -map зaderжki	24 млн
Neprrerыwnыйtokdrenaжa (id)	7A
Переоборот	2в
Вернека	20
Дренан-ток-ток (abs) (id)	7A
Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	Не
DOSTIчH SVHC	НЕИ
Статус Ройс	Rohs3

СМ. С.