Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

SI4634DY-T1-GE3

МОП-транзистор 30 В, 24,5 А, 5,7 Вт, 5,2 МОм при 10 В

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер оригинального чипа: 880-SI4634DY-T1-GE3
Упаковка: 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 141
Описание: МОП-транзистор 30 В, 24,5 А, 5,7 Вт, 5,2 МОм при 10 В (кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в XINJIADA.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Срок выполнения заказа на заводе	14 недель
Контактное покрытие	Олово
Установить	Поверхностный монтаж
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)
Количество контактов	8
Масса	186,993455мг
Материал транзисторного элемента	КРЕМНИЙ
Рабочая температура	-55°C~150°C, ТиДжей
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Опубликовано	2012 год
Ряд	ТренчFET®
Код JESD-609	е3
Статус детали	Активный
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Количество окончаний	8
ECCN-код	EAR99
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Положение терминала	ДВОЙНОЙ
Терминальная форма	КРЫЛО ЧАЙКИ
Пиковая температура оплавления (Цел)	260
Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	40
Количество контактов	8
Количество элементов	1
Количество вариантов	1
Рассеиваемая мощность-Макс.	2,5 Вт Ta 5,7 Вт Tc
Конфигурация элемента	Одинокий
Режим работы	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ
Рассеяние активности	2,5 Вт
Включить время задержки	14 нс
Тип полярного транзистора	N-канал
Применение транзистора	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	5,2 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,6 В при 250 мкА
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	3150пФ при 15В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	24,5 А Тс
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	68 НК при 10 В
Время подъема	10 нс
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30В
Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	4,5 В 10 В
ВГС (Макс)	±20 В
Осень (тип.)	8 нс
Время задержки отключения	33 нс
Непрерывный ток стока (ID)	24,5А
Пороговое напряжение	2,6 В
Напряжение от затвора до источника (Vgs)	20 В
Источник стока при максимальном сопротивлении	0,0052Ом
Максимальный импульсный ток стока (IDM)	70А
DS Напряжение проба-мин.	30В
Рейтинг лавинной энергии (Eas)	45 мДж
Высота	1,5 мм
Длина	5 мм
Ширина	4 мм
Радиационная закалка	Нет
ДОСТИГНУТЬ СВХК	Неизвестный
Статус RoHS	Соответствует ROHS3