Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

SI4630DY-T1-GE3

МОП-транзистор Н-Ч 25 В 40 А 8-SOIC

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер оригинального чипа: 880-SI4630DY-T1-GE3
Упаковка: 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 448
Описание: МОП-транзистор N-CH 25 В 40 А 8-SOIC (кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в СИНЬЦЗИАДА.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	40А Ц
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	161 НК при 10 В
Время подъема	93нс
Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	4,5 В 10 В
ВГС (Макс)	±16 В
Осень (тип.)	9 нс
Время задержки отключения	60 нс
Непрерывный ток стока (ID)	36А
Пороговое напряжение	1В
Напряжение от затвора до источника (Vgs)	16 В
Максимальный сток (Abs) (ID)	27А
Источник стока при максимальном сопротивлении	0,0027Ом
Напряжение проба стока к источнику	25 В
Максимальный импульсный ток стока (IDM)	70А
Рейтинг лавинной энергии (Eas)	45 мДж
Высота	1,55 мм
Длина	5 мм
Ширина	4 мм
Радиационная закалка	Нет
ДОСТИГНУТЬ СВХК	Неизвестный
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Срок выполнения заказа на заводе	14 недель
Установить	Поверхностный монтаж
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)
Количество контактов	8
Масса	186,993455мг
Материал транзисторного элемента	КРЕМНИЙ
Рабочая температура	-55°C~150°C, ТиДжей
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Опубликовано	2005 г.
Ряд	ТренчFET®
Код JESD-609	е3
Код Pbfree	да
Статус детали	Активный
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Количество окончаний	8
ECCN-код	EAR99
Терминальные отделки	Матовый олово (Sn)
Подкатегория	Полевой транзистор общего назначения
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Положение терминала	ДВОЙНОЙ
Терминальная форма	КРЫЛО ЧАЙКИ
Пиковая температура оплавления (Цел)	260
Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	30
Количество контактов	8
Количество элементов	1
Количество вариантов	1
Рассеиваемая мощность-Макс.	3,5 Вт Ta 7,8 Вт Tc
Конфигурация элемента	Одинокий
Режим работы	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ
Включить время задержки	17 нс
Тип полярного транзистора	N-канал
Применение транзистора	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	2,7 мОм при 20 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,2 В @ 250 мкА
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	6670пФ при 15 В