Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

SI4421DY-T1-E3

МОП-транзистор П-СН 20 В 10 А 8-SOIC

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер оригинального чипа: 880-SI4421DY-T1-E3
Упаковка: 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 195
Описание: MOSFET P-CH 20В 10А 8-SOIC (кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в XINJIADA.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Статус детали	Активный
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Количество окончаний	8
ECCN-код	EAR99
Сопротивление	8,75 МОм
Терминальные отделки	МАТОВАЯ ТУНКА
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Положение терминала	ДВОЙНОЙ
Терминальная форма	КРЫЛО ЧАЙКИ
Пиковая температура оплавления (Цел)	260
Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с)	40
Количество контактов	8
Количество элементов	1
Количество вариантов	1
Рассеиваемая мощность-Макс.	1,5 Вт Та
Конфигурация элемента	Одинокий
Режим работы	РЕЖИМ УЛУЧШЕНИЯ
Рассеяние активности	1,5 Вт
Включить время задержки	45 нс
Тип полярного транзистора	P-канал
Применение транзистора	ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	8,75 мОм при 14 А, 4,5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id	800 мВ при 850 мкА
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	10А Та
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	125 НК при 4,5 В
Время подъема	90 нс
Напряжение стока к источнику (Vdss)	20 В
Напряжение привода (макс. значение включено, минимальное значение включено)	1,8 В 4,5 В
ВГС (Макс)	±8 В
Срок выполнения заказа на заводе	14 недель
Установить	Поверхностный монтаж
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Осень (тип.)	90 нс
Время задержки отключения	350 нс
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм)
Непрерывный ток стока (ID)	-14А
Количество контактов	8
Напряжение от затвора до источника (Vgs)	8В
Напряжение проба стока к источнику	-20В
Масса	186,993455мг
Номинальный объем	-800 мВ
Материал транзисторного элемента	КРЕМНИЙ
Высота	1,55 мм
Длина	5 мм
Рабочая температура	-55°C~150°C, ТиДжей
Ширина	4 мм
Радиационная закалка	Нет
Упаковка	Лента и катушка (TR)
ДОСТИГНУТЬ СВХК	Неизвестный
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Опубликовано	2009 год
Без свинца	Без свинца
Ряд	ТренчFET®
Код JESD-609	е3