Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

SI4186DY-T1-GE3

Мосфет н-ч 20в 35,8а 8соик

Производитель: Вишай Силиконикс
Оригинальный чип №: 880-SI4186DY-T1-GE3
Упаковка: 8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)
Техническая спецификация: PDF
Запас: 378
Описание: МОСФЕТ N-CH 20 В 35,8А 8SOIC (кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете link заказ без регистрации в Синьцзяда.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос предложений (запрос на цитаты)

Используйте запросы цен, чтобы получить последние цены и запасы запчастей.
Наша продажа обеспечивает ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

Важно!

1. Вы получите информацию о оставшемся письме в почтовом ящике. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнитный спам, если вы не слышали от нас).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам собирается оплатить заказ и Сообщите, есть ли какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Доставка начинается от 40 долларов, но в некоторые страны превысят 40 долларов. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. Д.)
Основной груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Метод доставки

В настоящее время наши товары отправляются через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После того, как товары будут отправлены, предполагаемое время доставки зависит от выбранных вами методов доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже представлено логистическое время некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Количество булавок	8
Масса	540,001716мг
Материал транзистора	Кремний
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С ТДж
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Опубликовано	2013 год
Ряд	Тренчфет®
Код JESD-609	Е3
Статус частично	Активный
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (неограниченный)
Количество терминов	8
Код ECCN	Ухо99
Терминальная отделка	Чистая матовая олова
Технология	МОСФЕТ (оксид металла)
Терминальная позиция	Двойной
Терминальная форма	Крыло Печата
Пиковая температура отвоза (CEL)	260
Время@Пиковая температура (я)	30
Подсчет штифтов	8
Количество элементов	1
Количество вариантов	1
Рассеиваемая мощность-Макс.	3 Вт ТА 6 Вт TC
Конфигурация элемента	Одинокий
Операционный режим	Режим улучшения
Рассеяние власти	3 Вт
Включить время задержки	29 нс
Тип полевого транзистора	N-канал
Применение транзистора	Переключение
Rds on (макс.) @ id, vgs	2,6 метра ω @ 15А, 10 В
Vgs (th) (макс.) @ id	2,4 В при 250 мкА
Входная емкость (СНПЧ) (макс) @ vds	3630пф при 10 В
Ток - непрерывная дренаж (ID) при 25°С	35,8а ТК
Заряд затвора (qg) (max) @ vgs	90НЗ @ 10В
Время подъема	16 нс
Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON)	4,5 В 10 В.
ВГС (макс)	± 20 В.
Время падения (тип)	13 нс
Выключить время задержки	40 нс
Непрерывный ток дренажа (ID)	35,8а
Веревка к истинному напряжению (ВГС)	20 В
Дренажный ток-ток (АБС) (ID)	25.3а
Дренажный поиск по сопротивлению-макс	0,0026ом
Слив до источника напряжения разбивки	20 В
Номинальные ВГС	2,4 В.
Радиационное упрочнение	Нет
Статус ROHS	ROHS3 соответствует
Свободно привести	Свободно привести
Время завершения завода	14 недель
Установить	Поверхностное крепление
Монтажный тип	Поверхностное крепление
Пакет / корпус	8 SOIC (0,154, ширина 3,90 мм)