Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

SI4143DY-T1-GE3TR-ND,SI4143DY-T1-GE3CT-ND

Производитель: Вишай Силиконикс
Номер оригинального чипа: SI4143DY-T1-GE3
Упаковка: Лента и катушка (TR), отрезная лента (CT)
Техническая спецификация: -
Запас: 0
Описание: (Кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в СИНЬЦЗИАДА.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Тип полярного транзистора	P-канал
ВГС (Макс)	±25 В
Технология	МОП-транзистор (оксид металла)
Особенность левого транзистора	-
Статус детали	Активный
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Vgs(th) (Макс) @ Id	2,5 В при 250 мкА
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С (ТА)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	6,2 мОм при 12 А, 10 В
Рассеиваемая мощность (макс.)	6 Вт (Тс)
Поставщик пакета оборудования	8-СОИК
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	167 НК при 10 В
Напряжение стока к источнику (Vdss)	30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	6630 пФ при 15 В
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения)	4,5 В, 10 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	25,3 А (Тс)
Ряд	ТренчFET®
РоХС	РоХС