Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

РН1962ФЭ(ТЕ85Л,Ф)

Биполярные транзисторы с предварительным смещением BRT NPN 2-в-1, 100 мА, 50 В

Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Номер оригинального чипа: 830-РН1962ФЭ(ТЭ85Л,Ф)
Упаковка: СОТ-563, СОТ-666
Техническая спецификация: -
Запас: 951
Описание: Биполярные транзисторы с предварительным смещением BRT NPN 2-в-1, 100 мА, 50 В (кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете сделать ссылку на заказ без регистрации в XINJIADA.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос котировок)

Пожалуйста, запросите расценки, чтобы получить последние цены и наличие запчастей.
Наш отдел продаж отвечает на ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

ВАЖНОЕ ПРИМЕЧАНИЕ

1. Вы получите электронное письмо с информацией о заказе в свой почтовый ящик. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнит со спамом, если вы не получили от нас известия).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам повторно подтвердит заказ и Сообщит вам, если появятся какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Стоимость доставки начинается от 40 долларов США, но в некоторых странах цена увеличивается до 40 долларов США. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т.д.)
Базовый груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Способность доставки

В настоящее время наша продукция доставляется через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После отправки товара расчетное время доставки зависит от способа доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже приводится время логистики некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Установить	Поверхностный монтаж
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	СОТ-563, СОТ-666
Материал транзисторного элемента	КРЕМНИЙ
Упаковка	Разрезанная лента (CT)
Опубликовано	2014 год
Статус детали	Устаревший
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Подкатегория	БИП Малый сигнал общего назначения
Максимальная рассеиваемая мощность	100мВт
Достичь соответствия кода	неизвестный
Количество элементов	2
Полярность	НПН
Конфигурация элемента	Двойной
Тип транзистора	2 NPN — с предварительным смещением (двойной)
Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO)	300мВ
Макс. ток коллектора	100 мА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce	50 @ 10 мА 5 В
Ток-отсечка коллектора (макс.)	100на ИКБО
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic	300 мВ при 250 мкА, 5 мА
Напряжение пробоя коллектор-эмиттер	50В
Максимальное напряжение проба	50В
Частота – переход	250 МГц
Базовое напряжение эмиттера (VEBO)	10 В
hFE Мин.	50
Резистор — база (R1)	10 кОм
Непрерывный ток коллектора	100 мА
Резистор — база эмиттера (R2)	10 кОм
Статус RoHS	Соответствует RoHS