Все продукты

Просмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрировать

Ixdi602pi

Чereз otwerStiee-oktivnых-vorothete-deraйverowrowuv-ics иртировов.

Проиджоделх: Ixys Integrated Circuits Division
Origchip №: 415-IXDI602PI
Епаково: 8-DIP (0,300, 7,62 ММ)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: -
ЗapaS: 332
Описани: Чereз otwerstiee-oktivnых draйverowOwORORARARA ICS ИНВРИРЕВОВЫ

Поку Ипрос

Транспорт

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnamana apaprika, braзilaipa, Индель
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

Метод

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Подрэбной

Парметр
Верна	7,5NS 6,5NS
ТИП КАНАЛА	NeShavymymый
Колиство	2
ЕПРАНАЛЬНО	В.яя Стер
ТИП	Igbt, n-Kanalol, p-Kanalnый mosfet
Ток - ПикВода (Истошник, Раковина)	2а 2а
Logeчeskoe anprayaeneeee - vil, vih	0,8 В 3 В
Статус Ройс	Rohs3
Верна -	8
Управый	Чereз dыru
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
PakeT / KORPUES	8-DIP (0,300, 7,62 ММ)
Колист	8
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Dip
Rraboч -yemperatura	-55 ° C ~ 150 ° C TJ
Упако	Трубка
Опуликовано	2011 год
Статус	Актифен
Вернояж	1 (neograniчennnый)
МАКСИМАЛЕН	125 ° С
Мин	-40 ° С
Napraheneee - posta	4,5 В ~ 35 В.
Колист	2
МАКСИМАЛНГАН	2A
Колист. Каналов	2
МАКСИМАЛНА	35
МИНАПРЕЗА	4,5 В.
Я	60 млн
ТИПВ	Иртировани
Верна	15NS
Я не могу	15 млн

Ixdi602pi obзor

Its 8-DIP (0.300, 7.62mm) package provides greater flexibility.Gate drivers is packaged in the way of Tube.This device is equipped with 2 drivers for its configuration.Through Hole is mounted in the way of the device.In the absence of a power supply voltage of 4.5V~35V V, it is able to demonstrate its superiority.A gate type of IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET has been used in its Дизайн. ДОПИАТИМА -ДИАПАЙОН ТЕМПЕРА, ВОТОРОМ ВЕСТРЕВО ИСПОЛЮТНАЯ Управляя, аонтиру, а также Опреянжия. -40 ° C ДОПУСТИМА КИКИИНИМУМ. ДЛЯ РАБОТНЫЙ