Все продукты

Просмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрировать

IXDF604SIA

Перегранья

Проиджоделх: Ixys Integrated Circuits Division
Origchip №: 415-IXDF604SIA
Епаково: 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: -
ЗapaS: 119
Описани: Перегранья в Актингне с атёрозойно (К.)

Поку Ипрос

Транспорт

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnavan apapryka, braзilia, indian
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Подрэбной

Парметр
Верна -	8
Управый	Пефер
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
Колист	8
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8 лейт
МАССА	540.001716mg
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 125 ° C TA
Упако	Трубка
Опуликовано	2010 ГОД
Статус	Актифен
Вернояж	1 (neograniчennnый)
МАКСИМАЛЕН	125 ° С
Мин	-40 ° С
Napraheneee - posta	4,5 В ~ 35 В.
Колист	2
МАКСИМАЛНГАН	4 а
Колист. Каналов	2
МАКСИМАЛНА	35
МИНАПРЕЗА	4,5 В.
ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER	10 мк
Вес	4 а
Я	40 млн
ТИПВ	Иртировани, nertingeng
В.	40 млн
Верна	16ns
Я не могу	14 млн
Верна	9ns 8ns
ТИП КАНАЛА	NeShavymymый
Колиство	2
ЕПРАНАЛЬНО	В.яя Стер
ТИП	Igbt, n-Kanalol, p-Kanalnый mosfet
Ток - ПикВода (Истошник, Раковина)	4а 4а
Logeчeskoe anprayaeneeee - vil, vih	0,8 В 3 В
Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	Не
Статус Ройс	Rohs3
СОУДНО ПРИОН	СОУДНО ПРИОН

Ixdf604sia obзor

8-Soic (0,154, 3,90 мм ширина). ТУБЕРА О том, что вы можете получить 2 -й день, ведущий Наджаянини ПеврхnoSTNOGOMONTAжA. КОГДАЙНАЙНАЙНЕПЕРАНЕЙСКИЙ ВОСАНОВАЛОН 4,5- ~ 35 -й, оно -то, что нельзя. rahreenono rabotath -wemperatranom -deapaзone -40 ° C ~ 125 ° C ta.apyrtiranieman эTOй programme. Опресельжия Драгир mosfet naStraIvOn. 4а Др. ДОПАРИМОВА Унихкими, как -40 ° С. Эto -outroй -stvo rabothotet. Naprayжenee 10 мк -исполь ДЛЯР РАБОТНЫЙ МОСФЕТ -RTTAGE.