Все продукты

IXA12IF1200TC

IXYS Semiconductor IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 a, 2,1 В, 85 st, 1,2 кв, 268aa, 3 пейна

Проиджоделх: Ixys
Origchip №: 401-IXA12IF1200TC
Епаково: 268-3
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 616
Описани: IXYS Semiconductor IXA12IF1200TC IGBT Single Transistor, 20 a, 2,1 -v, 85 st, 1,2К, до 268AA, 3 конента (К.К.)

Поку Ипрос

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плэгна

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не буду

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnamana apaprika, braзilaipa, Индель
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Парметр
Управый	Пефер
PakeT / KORPUES	268-3
Колист	3
КОД JESD-609	E3
PBFREE CODE	в дар
Колист	2
КОД ECCN	Ear99
ТЕРМИНАЛЕН	Чystogogo olowa
МАКСИМАЛЕН	150 ° С
Мин	-55 ° С
Подкейгория	Иолировананнатраншистор
Терминаланая	Крхлоп
Пико -Аймперратара	Nukahan
Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Nukahan
Поседл	3
КОД JESD-30	R-PSSO-G2
Кваликакахионн Статус	Н.Квалиирована
Колист	1
Power Dissipation-Max	85 Вт
Коунфигуразия	Одинокий
R.	85 Вт
Прилоэна	ЕПРЕЙНЕЕ
Пола	N-канал
NapraheneEnee -yзlouhatelelelekelekshyonera (vceo)	2.1
МАККСКОЛЕРНА	20 часов
ВОЗНАЯ	350 млн
JEDEC-95 Кодеб	DO-268AA
Naprahenee raзobipkiklouhatelelelelelelekelelelelelekelelelelelelekelelelelekeleleleles	1,2 кв
Napryaenee hanshenhyna anassheonhyna -ollekshyonera	1,8 В.
Klючite -wreman	110 млн
Верхите-мему-nom (toff)	350 млн
ВОЗОР-МАЙТЕРЕР НА ПЕРЕЦАНЕ-МАКС	20
ЗaTWORNый-эMITER THRAPRAYENIE-MAKS	6,5 В.
Вес	5,1 мм
Делина	16,05 мм
Шyrina	14 ММ
DOSTIчH SVHC	НЕТ SVHC
Статус Ройс	ROHS COMPRINT

СМ. С.