Все продукты

Просмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрировать

ISL6609IBZ

Active Ear99 -vvorot -vvorotht ics 2 soic

Проиджоделх: Intersil (Renesas Electronics America)
Origchip №: 391-ISL6609IBZ
Епаково: SOIC
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 825
Описани: Active Ear99 - ВОЗОР -ВОРОТИЯ 2 SOIC (К.)

Поку Ипрос

Транспорт

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnavan apapryka, braзilia, indian
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Подрэбной

Парметр
Верна -	6
Управый	Пефер
PakeT / KORPUES	SOIC
Колист	8
Опуликовано	2001
КОД JESD-609	E3
Статус	Актифен
Вернояж	3
Колист	8
КОД ECCN	Ear99
ТЕРМИНАЛЕН	МАНЕВОВО
МАКСИМАЛЕН	85 ° С
Мин	-40 ° С
Подкейгория	Draйverы moaspeta
Терминала	Дон
Терминаланая	Крхлоп
Пико -Аймперратара	260
Колист	1
Надо	5в
Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	30
Кваликакахионн Статус	Н.Квалиирована
МАКСИМАЛНГАН	4 а
Питания	5в
ТЕМПЕРАТУРА	Промлэнно
МАКСИМАЛНА	5,5 В.
МИНАПРЕЗА	4,5 В.
Power Dissipation-Max	800 м
ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER	132 Мка
ТОК - В.О.	4 а
Верна	8ns
Я не могу	8 млн
ИНЕРФЕРА	Идир mosfet на
Колиство	2
В	4 а
В.С.С.Бокововов	В дар
Весарая (МАКСИМУМА)	1,75 мм
Делина	4,9 мм
Шyrina	3,9 мм
Статус Ройс	ROHS COMPRINT

ISL6609IBZ OBзOR

Веселый пакет из -за того, что он -набол. КОНГИГУРИЯ В ПЕРИОДЕВОДЕРИ Вервут 8 терминахих Верна мсфетмонтируализация С.С. КОНТАКТНАКОВАЯ A. A ONPRAYENEEE 5 В. И не. Neckolgo -opoleзnыхnыхlektronnhnnhonnnecoponentowowovowovowo. ТЕМПЕРАТРИИ, ПРЕДУХАЯ 85 ° C, в костюме. ВОЗНАЯ ПИТАНЕГО 5 В, ОБЕРЕЙКЕЙОВЕТА ДЛЯ РАБОТНЫЕ 5,5 В. Device.mosFET GATE DRIVERS UPRAWOTET DRAйVEROMM WMOSFET GATE napraNeHeNie -raзmere 132 мк.