Все продукты

Просмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрировать

IRS2184PBF

ЧeReз-groчnuюnuюtruebku Active Ear99 GATE GATE

Проиджоделх: Infineon Technologies
Origchip №: 376-IRS2184PBF
Епаково: 8-DIP (0,300, 7,62 ММ)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 883
Описани: ЧeReз-groчnuюnuюtruebku Active Ear99 ворот ворот.

Поку Ипрос

Транспорт

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnamana apaprika, braзilaipa, Индель
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Подрэбной

Парметр
Верна -	12
Управый	Чereз dыru
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
PakeT / KORPUES	8-DIP (0,300, 7,62 ММ)
Колист	8
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 150 ° C TJ
Упако	Трубка
Опуликовано	1996
Статус	Актифен
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Колист	8
КОД ECCN	Ear99
Подкейгория	Draйverы moaspeta
МАКСИМАЛЕВАЯ	1 Вт
Тела	CMOS
Napraheneee - posta	10 В ~ 20 В.
Терминала	Дон
Колист	1
Надо	15
Я	IRS2184PBF
Колист	2
В конце концов	620В
МАКСИМАЛНГАН	2.3a
Питания	15
Н.	1,6 мая
R.	1 Вт
Вес	1.9а
МАКСИМАЛНГОН	1,6 мая
Я	900 млн
ТИПВ	Nerting
В.	90 млн
Верна	60ns
Я не могу	35 м
Otklючitath -map зaderжki	40 млн
Вес	270 м
Верна	40ns 20ns
ТИП КАНАЛА	Синжронно
Klючite -wreman	0,9 мкс
ЕПРАНАЛЬНО	Полумос
ТИП	Igbt, n-Kanalhnый mosfet
Ток - ПикВода (Истошник, Раковина)	1.9a 2.3a
Logeчeskoe anprayaeneeee - vil, vih	0,8 В 2,5 В.
В.	0,4 мкс
Встровя	Wrenemennnый; Пеодер
Ведокообооборот	600
Вес	49276 ММ
Делина	10 8966 ММ
Ширин	7,11 мм
Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	Не
DOSTIчH SVHC	НЕТ SVHC
Статус Ройс	Rohs3
СОУДНО ПРИОН	СОУДНО ПРИОН

IRS2184PBF OBзOR

A higher degree of flexibility is achieved by adopting its 8-DIP (0.300, 7.62mm) package.Gate drivers is packaged in the way of Tube.In this case, gate drivers is mounted along the way of Through Hole.Gate drivers is able to show Gate driverss superiorGate driversy on the basis of a supply voltage of 10V~20V.IGBT, N-Channel MOSFET is the gate type used for this design.This device can Rabotaйte pritymperature -do -40 ° C ~ 150 ° C tj.non -hanwertirowanee yspolhhytsepapa. Долхно. ДЛЯ ВСЕГО ВЫСОВАНИЯ ВОСТОЧНА СОЗОБНЕСА Чtobы obespehytath -ofokuю stabilnopthe, toyk -onabжenina dolжenenenbыtth Гнева ДО СОЗДАЕТСЯ 15 ПИТАНЯ, ОНКОНЕКА Эtom -lehy of -od napryanipe -ostaplet 620 a.