Все продукты

Авторизоваться Зарегистрироваться

IRFB4110GPBF

IRFB4110GPBF DASHASHIT PDF и транзисторы — FETS, MOSFET — Информация об единственном продукте из запаса Infineon Technologies, доступном на Feilidi

Производитель: Инфинеон Технологии
Оригинальный чип №: 376-IRFB4110GPBF
Упаковка: До 220-3
Техническая спецификация: PDF
Запас: 294
Описание: IRFB4110GPBF DASHASHIT PDF и транзисторы - FETS, MOSFET - Сведения об одном продукте из запаса Infineon Technologies, доступные по адресу feilidi (кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете link заказ без регистрации в Синьцзяда.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос цен (запрос на цитаты)

Используйте запросы цен, чтобы получить последние цены и запасы запчастей.
Наша продажа осуществляется по вашему запросу по электронной почте в течение 24 часов.

Важно!

1. Вы получите информацию о оставшемся письме в почтовом ящике. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнитный спам, если вы не слышали от нас).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам собирается оплатить заказ и Сообщите, есть ли какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Доставка начинается от 40 долларов, но в некоторые страны превысят 40 долларов. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. Д.)
Основной груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Метод доставки

В настоящее время наши товары отправляются через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После того, как товары будут отправлены, предполагаемое время доставки зависит от выбранных вами методов доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже представлено логистическое время некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Время завершения завода	10 недель
Установить	Через дыру
Монтажный тип	Через дыру
Пакет / корпус	До 220-3
Количество булавок	3
Материал транзистора	Кремний
Рабочая температура	-55°С ~ 175°С ТДж
Упаковка	Трубка
Опубликовано	2007 год
Ряд	Хексфет®
Статус частично	Не для новых дизайнов
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (неограниченный)
Количество терминов	3
Код ECCN	Ухо99
Подкатегория	ФЭТ Общее назначение власти
Технология	МОСФЕТ (оксид металла)
Пиковая температура отвоза (CEL)	НЕ УКАЗАН
Время@Пиковая температура (я)	НЕ УКАЗАН
Квалификационный статус	Не квалифицирован
Количество элементов	1
Рассеиваемая мощность-Макс.	370 Вт ТК
Конфигурация элемента	Одинокий
Операционный режим	Режим улучшения
Рассеяние власти	370 Вт
Случайное соединение	ОСУШАТЬ
Включить время задержки	25 нс
Тип полевого транзистора	N-канал
Применение транзистора	Переключение
Rds on (макс.) @ id, vgs	4,5 мм ω @ 75А, 10 В
Vgs (th) (макс.) @ id	4 В @ 250 мкА
Входная емкость (СНПЧ) (макс) @ vds	9620пф при 50 В
Ток - непрерывная дренаж (ID) при 25°С	120А ТК
Заряд затвора (qg) (max) @ vgs	210НЗ @ 10 В
Время подъема	67НС
Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON)	10 В
ВГС (макс)	± 20 В.
Время падения (тип)	88 нс
Выключить время задержки	78 нс
Непрерывный ток дренажа (ID)	180а
Пороговое напряжение	4 В
Код Джедек-95	До-220АБ
Веревка к истинному напряжению (ВГС)	20 В
Дренажный поиск по сопротивлению-макс	0,0045ом
Слив до источника напряжения разбивки	100 В
Импульсный ток сливного тока (IDM)	670а
Номинальные ВГС	4 В
Высота	16,51 мм
Длина	10,668 мм
Ширина	4826 мм
Достичь SVHC	Нет СВХК
Статус ROHS	ROHS3 соответствует
Свободно привести	Свободно привести