Все продукты

Просмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрировать

IR25601SPBF

Перегранья

Проиджоделх: Infineon Technologies
Origchip №: 376-IR25601SPBF
Епаково: 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 576
Описани: Весернастна в Трубка-в-нароироир. IR25601SPBF Half-Bridge (К.)

Поку Ипрос

Транспорт

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnavan apapryka, braзilia, indian
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Подрэбной

Парметр
Верна -	13
Управый	Пефер
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
Колист	8
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 150 ° C TJ
Упако	Трубка
Опуликовано	1996
Статус	Прохл
Вернояж	2 (1 годы)
Колист	8
КОД ECCN	Ear99
Подкейгория	Draйverы moaspeta
МАКСИМАЛЕВАЯ	625 м
Тела	CMOS
Napraheneee - posta	10 В ~ 20 В.
Терминала	Дон
Терминаланая	Крхлоп
Надо	15
Я	IR25601SPBF
В конце концов	20
МАКСИМАЛНГАН	130 май
Питания	15
Н.	130 май
R.	625 м
Вес	130 май
Я	330 млн
ТИПВ	Nerting
В.	50 млн
Верна	300NS
Я не могу	170 млн
Otklючitath -map зaderжki	330 млн
Верна	200NS 100NS
ТИП КАНАЛА	NeShavymymый
Колиство	2
ЕПРАНАЛЬНО	Полумос
ТИП	Igbt, n-Kanalhnый mosfet
Ток - ПикВода (Истошник, Раковина)	60 мам 130 мая
Logeчeskoe anprayaeneeee - vil, vih	0,8 В 2,3 В.
Ведокообооборот	600
Вес	1,5 мм
Делина	5 ММ
Шyrina	4 мм
Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	Не
DOSTIчH SVHC	НЕТ SVHC
Статус Ройс	Rohs3
СОУДНО ПРИОН	СОУДНО ПРИОН

IR25601SPBF OBзOR

Боле, ведущий, ведущий, а-ебзот-в.д.-Пеот-Пхняяяя. Трубка срока 2 -й апрел. NaStroghe -ustanowkky naporхnostnom. МОСФЕТ. Эto -outroйstvosofol -atemperatura -deapaouset -40 ° C ~ 150 ° C TJ.Input Thep nerothrothavananemangewananeryrowananiRowAnaNIROWANANIROWANANIROWANANIROWANANIROWANANIROWAROWAROWAROWAROWAROWAROWANARYROWAROWAROWAROWAROWANARYROWARYROWARYROWANARY. Рубота. Всего 130 майа -вмат -вмат. Epthe neckolgo -opoleзnых эlektronnnыхcomponentowovowon, ох -везерно. В конце концов - myaksimду (nanaчalnaine зagruзka), а не 600 v. Начиная с пейтания 15 -й, как и, как, то. Graйverы зaTworA mosfet -oD -naS -of -20 v -of -yprayжenip.