Все продукты

Просмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрировать

IR25600SPBF

Трубка, а также

Проиджоделх: Infineon Technologies
Origchip №: 376-IR25600SPBF
Епаково: 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 199
Описани: Пефер-пост в Активном ухоре 99 водителей ворот.

Поку Ипрос

Транспорт

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плэгна

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnamana apaprika, braзilaipa, Индель
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Подрэбной

Парметр
Верна -	12
Управый	Пефер
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм)
Колист	8
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 150 ° C TJ
Упако	Трубка
Опуликовано	2004
Статус	Актифен
Верный	2 (1 годы)
Колист	8
КОД ECCN	Ear99
Подкейгория	Draйverы moaspeta
МАКСИМАЛЕВАЯ	625 м
Тела	CMOS
Napraheneee - posta	6- ~ 20 В.
Терминала	Дон
Терминаланая	Крхлоп
Надо	15
Я	IR25600
Колист	2
В конце концов	20
МАКСИМАЛНГАН	3.3a
Питания	15
Н.	1,5а
R.	625 м
Вес	1,5а
Я	160 м
ТИПВ	Nerting
В.	160 м
Верна	35NS
Я не могу	25 млн
Otklючitath -map зaderжki	150 млн
Верна	15NS 10NS
ИНЕРФЕРА	Перифержин -вуделх
ТИП КАНАЛА	NeShavymymый
ЕПРАНАЛЬНО	В.яя Стер
ТИП	Igbt, n-Kanalhnый mosfet
Ток - ПикВода (Истошник, Раковина)	2.3a 3.3a
Logeчeskoe anprayaeneeee - vil, vih	0,8 В 2,7 В.
Вес	1,5 мм
Делина	5 ММ
Шyrina	4 мм
Rradiaцyonnoe yproчneneenee	Не
DOSTIчH SVHC	НЕТ SVHC
Статус Ройс	Rohs3
СОУДНО ПРИОН	СОУДНО ПРИОН

IR25600SPBF OBзOR

Болевый, у которого есть hubosti obespehyvotsepy-paketom 8-гопопрос (0,154, 3,90 мм ирино). ДОДУХА УПАКОККИ ОБОАНАНАНЕСН. -40 ° C ~ 150 ° C TJ.MOSFET DIRIGENANIERANIE, POSKOLAKU. Ведьрони, Коунфигуражия, Костетерт и 8 Термин. Graйver mosfet voзmoжno nanahti -raзlyчne rodstwennnennene deTAlIPODMOCET -DRAйVERAMI. naprayeseee. Ип ирферасинсистем - Псевдоо. С -Истогнико -пейтания 15 лет, О, охэ, ЭTOM -lehy onwodiot 20 в.