Все продукты

Просмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрировать

IR2117

Чereз-groчnueюtruebku-yoStaReюU

Проиджоделх: Infineon Technologies
Origchip №: 376-IR2117
Епаково: 8-DIP (0,300, 7,62 ММ)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 859
Описани: ЧeReз -groчnuюtюtruebku -yostarewhee vyrotы ear99 -vorothot nwnerting 1 600 В.

Поку Ипрос

Транспорт

Покупра

Весельнее
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, поскольку вы можете отслеживать свой заказ в режиме rernogo vremenyni.

Плате

Дл -вуд -мг -мкринимайм. псевдод.

Rfq (зaproys nanaitatы)

RonkomeNyOtsemy -aproytth
Начиная с того, что я не знаю, что

Вес

1. (Poжaluйsta, ne abudate oprowriotth papku -spama, esli -ne -ne -slышali Ot nas).
2. Сообщите, что -то вроде.

Степ

ДОПОЛНИТЕЛЬНО 40 ДОЛЛОРОВ, НЕКОТОРСКА Naprimer (южnamana apaprika, braзilaipa, Индель
Otsnownoй gruз (ophotwytwathyй ≤0,5.

МЕСТОДОД

В.Е.

Срок.Постаски

Пео, КОН, КОДА, ПРЕДАПОН

FedEx International, 5-7 RABOSHIх DNEй.

Назнайджеский и 1 -го.
transport

Подрэбной

Парметр
МОНТАНАНГИП	Чereз dыru
PakeT / KORPUES	8-DIP (0,300, 7,62 ММ)
Пефер	Не
Rraboч -yemperatura	-40 ° C ~ 150 ° C TJ
Упако	Трубка
Опуликовано	1996
КОД JESD-609	E0
Статус	Управо
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Колист	8
КОД ECCN	Ear99
ТЕРМИНАЛЕН	Олово/Свинен (SN/PB)
Тела	CMOS
Napraheneee - posta	10 В ~ 20 В.
Терминала	Дон
Пико -Аймперратара	Nukahan
Колист	1
Надо	15
Терминал	2,54 мм
Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Nukahan
Я	IR2117
КОД JESD-30	R-PDIP-T8
Кваликакахионн Статус	Н.Квалиирована
ТИПВ	Nerting
Верна	80ns 40ns
ИНЕРФЕРА	Берн илиирторн -дера
ТИП КАНАЛА	Одинокий
Колиство	1
Klючite -wreman	0,2 мкс
В	0,5а
ЕПРАНАЛЬНО	Вес
ТИП	Igbt, n-Kanalhnый mosfet
Ток - ПикВода (Истошник, Раковина)	250 май 500 мая
В.С.С.Бокововов	В дар
Logeчeskoe anprayaeneeee - vil, vih	6 В 9,5 В.
Ведокообооборот	600
Весарая (МАКСИМУМА)	5,33 ММ
Делина	9,88 мм
Шyrina	7,62 мм
Статус Ройс	В

IR2117 Описани

IR2117Принадлегит Секрет -ОднаканаланоСтюви драйверы IGBT с высоким напряжением и высокой скоростью, которая производится с помощью Infineon Technologies, основанных на Пропрарн -тел -аяя hvic и зaщelki -ymmhunnnых cmos. Эtiхnologikio oposobnы pdelath proчnuюmonolytnuю koanstrukцiю voзmoжnoй. Go oplauчiй kanolprednaзnaenчen-nlahlanь зagruзki n-kanalnыхmoщnыхmospeTOW