Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

HN1C03FU-A (TE85LFTR-ND, HN1C03FU-A (TE85LFCT-ND, HN1C03FU-A (TE85LFDKR-ND)

Производитель: Toshiba Semiconductor и хранение
Оригинальный чип №: HN1C03FU-A (TE85L, ф
Упаковка: Лента и катушка (TR), вырезанная лента (CT), Digi-Reel®
Техническая спецификация: -
Запас: 0
Описание: (Кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете link заказ без регистрации в Синьцзяда.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос предложений (запрос на цитаты)

Используйте запросы цен, чтобы получить последние цены и запасы запчастей.
Наша продажа обеспечивает ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

Важно!

1. Вы получите информацию о оставшемся письме в почтовом ящике. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнитную спаму, если вы не слышали от нас).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам будет ответственным заказом и Сообщите, есть ли какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Доставка начинается от 40 долларов, но в некоторые страны превысят 40 долларов. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. Д.)
Основной груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Метод доставки

В настоящее время наши товары отправляются через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После того, как товары будут отправлены, предполагаемое время доставки зависит от выбранных вами методов доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже представлено логистическое время некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Рохс	Рохс
Статус частично	Активный
Сила - Макс	200 МВт
Монтажный тип	Поверхностное крепление
Пакет / корпус	6-цоп, СЦ-88, СОТ-363
Тип транзистора	2 НПН (двойной)
Рабочая температура	150°С (ТДж)
Частота - переход	30 МГц
Поставщик пакета устройства	США6
Насыщение Vce (макс.) @ ib, ic	100 МВ @ 3МА, 30 мА
Ток-Коллектор (IC) (макс)	300 мА
Ток - срез коллекционера (макс)	100НА (ИКБО)
DC ток преобразования (HFE) (мин) @ IC, VCE	200 @ 4МА, 2В
Напряжение - разбивка излучателя коллекционера (макс)	20 В