Все продукты

Посмотреть все >>

Авторизоваться Зарегистрироваться

FQB9N50CTM

МОП-транзистор 500 В N-CH Q-FEET ADVANCE C-SERIE

Производитель: На полупроводнике
Оригинальный чип №: 598-FQB9N50CTM
Упаковка: ТО-263-3, Д2ПАК (2 ОТВЕДЕНИЯ + ВКЛАДКА), ТО-263АБ
Техническая спецификация: PDF
Запас: 100
Описание: MOSFET 500V N-CH Q-FEET ADVENT C-SERIE (кг)

Покупка и запрос

Транспорт

Покупка

Вы можете link заказ без регистрации в Синьцзяда.
Мы настоятельно рекомендуем вам войти в систему перед покупкой, так как вы можете отслеживать свой заказ в режиме реальное время.

Платежные средства

Для вашего удобства мы принимаем несколько способов оплаты в долларах США, включая PayPal, кредитную карту и банковский счет. перевод.

Запрос предложений (запрос на цитаты)

Используйте запросы цен, чтобы получить последние цены и запасы запчастей.
Наша продажа обеспечивает ваш запрос по электронной почте в течение 24 часов.

Важно!

1. Вы получите информацию о оставшемся письме в почтовом ящике. (Пожалуйста, не забудьте проверить магнитную спаму, если вы не слышали от нас).
2. Поскольку запасы и цены могут в некоторой степени меняться, менеджер по продажам собирается оплатить заказ и Сообщите, есть ли какие-либо обновления.

Стоимость доставки

Доставка начинается от 40 долларов, но в некоторые страны превысят 40 долларов. Например (Южная Африка, Бразилия, Индия, Пакистан, Израиль и т. Д.)
Основной груз (для упаковки ≤0,5 кг или соответствующего объема) зависит от часового пояса и страны.

Метод доставки

В настоящее время наши товары отправляются через DHL, FedEx, SF и UPS.

Срок поставки

После того, как товары будут отправлены, предполагаемое время доставки зависит от выбранных вами методов доставки:

FedEx International, 5-7 рабочих дней.

Ниже представлено логистическое время некоторых стран.
transport

Подробности

Параметры
Время завершения завода	7 недель
Статус жизненного цикла	Активный (последнее обновление: 1 день назад)
Установить	Поверхностное крепление
Монтажный тип	Поверхностное крепление
Пакет / корпус	ТО-263-3, Д2ПАК (2 ОТВЕДЕНИЯ + ВКЛАДКА), ТО-263АБ
Количество булавок	3
Масса	1,31247Г
Материал транзистора	Кремний
Рабочая температура	-55°С ~ 150°С ТДж
Упаковка	Лента и катушка (TR)
Опубликовано	2003 г.
Ряд	QFET®
Код JESD-609	Е3
КОД PBFREE	да
Статус частично	Активный
Уровень чувствительности влаги (MSL)	1 (неограниченный)
Количество терминов	2
Код ECCN	Ухо99
Сопротивление	800 мох
Терминальная отделка	Олово (СН)
Подкатегория	ФЭТ Общее назначение власти
Напряжение - рейтинг DC	500 В.
Технология	МОСФЕТ (оксид металла)
Терминальная форма	Крыло Печата
Текущий рейтинг	9а
Код JESD-30	Р-ПССО-Г2
Количество элементов	1
Рассеиваемая мощность-Макс.	135 Вт ТК
Конфигурация элемента	Одинокий
Операционный режим	Режим улучшения
Рассеяние власти	135 Вт
Случайное соединение	ОСУШАТЬ
Включить время задержки	18 нс
Тип полевого транзистора	N-канал
Применение транзистора	Переключение
Rds on (макс.) @ id, vgs	800 м ω @ 4,5А, 10 В
Vgs (th) (макс.) @ id	4 В @ 250 мкА
Входная емкость (СНПЧ) (макс) @ vds	1030пф при 25В
Ток - непрерывная дренаж (ID) при 25°С	ТЦ 9А
Заряд затвора (qg) (max) @ vgs	35НЗ @ 10В
Время подъема	65НС
Напряжение привода (MAX RDS ON, MIN RDS ON)	10 В
ВГС (макс)	± 30 В
Время падения (тип)	64 нс
Выключить время задержки	93 нс
Непрерывный ток дренажа (ID)	9а
Пороговое напряжение	2 В
Веревка к истинному напряжению (ВГС)	30 В
Дренажный ток-ток (АБС) (ID)	9а
Слив до источника напряжения разбивки	500 В.
Высота	4,83 мм
Длина	10,67 мм
Ширина	9,65 мм
Радиационное упрочнение	Нет
Достичь SVHC	Нет СВХК
Статус ROHS	ROHS3 соответствует
Свободно привести	Свободно привести